[發明專利]TFT液晶顯示器ARRAY板的制備方法

有效

• 申請號: 201210255899.2
• 申請日: 2012-07-23
• 公開（公告）號: CN102738081A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 任思雨;胡君文;郝付潑;阮文中;洪勝寶;于春崎;謝凡;何基強
• 申請（專利權）人: 信利半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種TFT液晶顯示器ARRAY板的制備方法，所述方法包括：

在玻璃基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、像素電極、源漏電極以及保護絕緣層；

其特征在于，形成所述保護絕緣層包括：

形成第一薄層氮化硅；

在所述第一薄層氮化硅之上形成第二層氮化硅；

其中，所述第一薄層氮化硅的厚度小于所述第二層氮化硅的厚度。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述保護絕緣層上形成過孔和/或公共電極。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述形成第一薄層氮化硅時硅烷氣體的流量小于所述形成第二層氮化硅時硅烷氣體的流量。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一薄層氮化硅的厚度為100~200埃，所述第二層氮化硅的厚度為2400~5800埃。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述形成第一薄層氮化硅包括：

采用化學氣相沉積方法在所述源漏電極之上形成第一薄層氮化硅，其中氨氣流量為700~800sccm，硅烷氣體流量為40~60sccm，腔室壓強為1400~1600Pa，電源功率為600~800W，沉積時間為10~15s。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二層氮化硅包括第一分層氮化硅、第二分層氮化硅以及第三分層氮化硅，所述在所述第一薄層氮化硅之上形成第二層氮化硅，包括：

步驟A：在所述第一薄層氮化硅上形成第一分層氮化硅；

步驟B：在所述第一分層氮化硅之上形成第二分層氮化硅；

步驟C：在所述第二分層氮化硅之上形成第三分層氮化硅；

其中，所述步驟A中的腔室壓強小于所述步驟B中的腔室壓強，所述步驟B中的腔室壓強小于所述步驟C的腔室壓強，且執行所述步驟A的時間大于執行所述步驟B的時間，執行所述步驟B的時間大于執行所述步驟C的時間。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，

所述步驟A、步驟B和步驟C中的所述硅烷氣體的流量相同，且所述步驟A、步驟B和步驟C中的所述氨氣的流量相同。

8.根據權利要求1-7任一項所述的制備方法，其特征在于，形成所述源漏電極前，還包括：

對所述像素電極執行退火操作。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述對所述像素電極執行退火操作包括：

將形成所述像素電極后的所述玻璃基板置于退火爐中，在氮氣氣氛中溫度在200~250℃范圍內退火30~60mins。