[發明專利]一種單面電極結構的AlGaInP-LED集成微顯示器件

有效

• 申請號: 201210255688.9
• 申請日: 2012-07-23
• 公開（公告）號: CN102790071A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 田超;梁靜秋;梁中翥;王維彪
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 張偉

1.一種單面電極結構的AlGaInP-LED集成微顯示器件，其特征在于，包括

N型襯底層，用來支撐所述微顯示器件；

多個發光單元，設置在所述N型襯底層上方，被多條相互交叉的溝槽分隔開；

所述溝槽中填有不透明光闌；

每一行或每一列的多個所述發光單元底部的兩側分別設有條狀的下電極；每一列或每一行的所述發光單元上方的兩邊分別設有條狀的上電極；所述上電極與所述下電極的條狀方向呈異面垂直。

2.根據權利要求1所述的微顯示器件，其特征在于，所述發光單元由下至上依次包括：反射層、下限制層、發光層、上限制層、透光層和P型層；所述下電極設置于所述N型襯底層上方的反射層的外側。

3.根據權利要求1所述的微顯示器件，其特征在于，所述下電極上方設有絕緣介質層。

4.根據權利要求3所述的微顯示器件，其特征在于，所述絕緣介質層為Si₃N₄層或SiO₂層。

5.根據權利要求1-4任一所述的微顯示器件，其特征在于，每一行或列的所述上電極，以及每一列或行的所述下電極，分別電鑄有電極引線。