[發明專利]一種亞微米氮化硅(Si3N4)陶瓷粉體生產工藝無效
| 申請號： | 201210254996.X | 申請日： | 2012-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN103570359A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 焦云峰 | 申請（專利權）人： | 洛陽力冠陶瓷科技有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/626 | 分類號： | C04B35/626;C04B35/584 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 471943 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 微米 氮化 si sub 陶瓷 生產工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種亞微米氮化硅(Si3N4)陶瓷粉體生產工藝，其特征是：在高純工業硅粉摻入0.3％納米氮化硅材料放入高溫氮化爐中，在一個大氣壓的氮氣氣氛中升溫至1050～1200℃，進行充分的氮化反應，生成高α相氮化硅產品。
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