[發明專利]雙側冷卻功率半導體模塊及使用該模塊的多堆疊功率半導體模塊包

有效

• 申請號: 201210254677.9
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN103378018A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 金洸洙;李榮基;樸志賢;徐范錫
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 翟洪玲;董彬

1.一種雙側冷卻功率半導體模塊，該雙側冷卻功率半導體模塊包括：

第一冷卻器，該第一冷卻器的一個表面上沿厚度方向形成有凹部；

第一半導體芯片，該第一半導體芯片安裝在所述第一冷卻器的所述凹部上；

第二冷卻器，該第二冷卻器具有一個表面和另一個表面并且形成在所述第一冷卻器的一個表面上，使得所述第二冷卻器的所述一個表面與所述第一半導體芯片接觸；

電路板，該電路板形成在所述第二冷卻器的所述另一個表面上；

第二半導體芯片，該第二半導體芯片安裝在所述電路板上；以及

撓性基板，該撓性基板具有電路層，該電路層將所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片相互電連接。

2.根據權利要求1所述的雙側冷卻功率半導體模塊，其中，所述撓性基板粘附于所述第一冷卻器和第二冷卻器的外周面。

3.根據權利要求1所述的雙側冷卻功率半導體模塊，其中，該雙側冷卻功率半導體模塊還包括：

第一絕緣層，該第一絕緣層形成在所述第一冷卻器的所述凹部的底表面上；以及

第一電路圖案，該第一電路圖案形成在所述第一絕緣層上，

其中所述第一半導體芯片結合于所述第一電路圖案，

所述撓性基板的所述電路層包括電路圖案和通路，并且

所述通路將所述第一電路圖案和所述電路圖案相互電連接。

4.根據權利要求3所述的雙側冷卻功率半導體模塊，其中，所述第一電路圖案包括柵極圖案和發射極圖案。

5.根據權利要求1所述的雙側冷卻功率半導體模塊，其中，該雙側冷卻功率半導體模塊還包括：

第二絕緣層，該第二絕緣層形成在所述第二冷卻器的一個表面上；以及

第二電路圖案，該第二電路圖案形成在所述第二絕緣層上，

其中所述第一半導體芯片結合于所述第二電路圖案。

6.根據權利要求5所述的雙側冷卻功率半導體模塊，其中，所述第二電路圖案為集電極圖案。

7.根據權利要求1所述的雙側冷卻功率半導體模塊，其中，所述第一半導體芯片包括絕緣柵雙極型晶體管和二極管。

8.根據權利要求7所述的雙側冷卻功率半導體模塊，其中，該雙側冷卻功率半導體模塊還包括墊片，該墊片設置在所述絕緣柵雙極型晶體管和所述第二冷卻器的一個表面之間。

9.根據權利要求1所述的雙側冷卻功率半導體模塊，其中，所述第二半導體芯片為控制元件。

10.根據權利要求1所述的雙側冷卻功率半導體模塊，其中，所述第一冷卻器和第二冷卻器中的每一個的內部沿長度方向形成有至少一個冷卻通道。

11.一種多堆疊功率半導體模塊包，該多堆疊功率半導體模塊包包括：

第1-1冷卻器，該第1-1冷卻器的一個表面上沿厚度方向形成有第一凹部；

第1-1半導體芯片，該第1-1半導體芯片安裝在所述第1-1冷卻器的第一凹部上；

第1-2冷卻器，該第1-2冷卻器形成在所述第1-1冷卻器的一個表面上，使得所述第1-2冷卻器的一個表面上沿厚度方向形成有第二凹部，另一個表面與所述第1-1半導體芯片接觸；

第1-2半導體芯片，該第1-2半導體芯片安裝在所述第1-2b冷卻器的第二凹部上；

第二冷卻器，該第二冷卻器具有一個表面和另一個表面并且形成在所述第1-2冷卻器的一個表面上，使得所述第二冷卻器的一個表面與所述第1-2半導體芯片接觸；

電路板，該電路板形成在所述第二冷卻器的所述另一個表面上；

第二半導體芯片，該第二半導體芯片安裝在所述電路板上；

第一撓性基板，該第一撓性基板形成有電路層，該電路層將所述第1-1半導體芯片和所述第二半導體芯片相互電連接；以及

第二撓性基板，該第二撓性基板形成有電路層，該電路層將所述第1-2半導體芯片和所述第二半導體芯片相互電連接。

12.根據權利要求11所述的多堆疊功率半導體模塊包，其中，所述第一撓性基板粘附于所述第1-1冷卻器、所述第1-2冷卻器和所述第二冷卻器的外周面。

13.根據權利要求11所述的多堆疊功率半導體模塊包，其中，所述第二撓性基板粘附于所述第1-2冷卻器和所述第二冷卻器的外周面。