[發明專利]MOS器件及其制作方法、CMOS器件的制作方法

有效

• 申請號: 201210254234.X
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN103578989A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 李鳳蓮;韓秋華;倪景華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8238;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上包括多晶硅柵，所述多晶硅柵兩側的襯底中包括源／漏區：

在所述襯底和所述多晶硅柵上依次形成中間層、隔離層和第一層間介質層：

進行平坦化處理，使所述第一層間介質層的上表面與所述隔離層的上表面齊平；

去除所述多晶硅柵上方的所述隔離層，剩余的所述隔離層的上表面與所述中間層的上表面齊平；

去除所述多晶硅柵上方的所述中間層，剩余的所述中間層的上表面與所述多晶硅柵的上表面齊平；

去除所述多晶硅柵，形成溝槽；

在所述溝槽中形成金屬柵極；

進行平坦化處理，使所述金屬柵極的上表面、所述第一層間介質層的上表面、所述隔離層的上表面和所述中間層的上表面齊平；

去除位于所述金屬柵極側壁的所述中間層，形成空隙；

在所述第一層間介質層、所述隔離層、所述空隙和所述金屬柵極的上表面形成第二層間介質層。

2.如權利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述中間層的材質包括：無定形碳和有機抗反射材料中的一種或多種；所述中間層的厚度范圍包括：

3.如權利要求1或2所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述隔離層的材質包括：氮化硅和氮氧化硅中的一種或兩種；所述隔離層的厚度范圍包括：

4.如權利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述中間層和所述隔離層的刻蝕選擇比范圍包括：8～20。

5.如權利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述中間層和所述第一層間介質層的刻蝕選擇比范圍包括：8～20；所述隔離層和所述第一層間介質層的刻蝕選擇比范圍包括：8～20。

6.如權利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述多晶硅柵上方的所述隔離層、所述多晶硅柵上方的所述中間層和所述多晶硅柵在同一干法刻蝕腔室中被去除。

7.如權利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述襯底和所述多晶硅柵之間包括高K柵介質層；形成所述金屬柵極包括依次形成功函數金屬層和柵極金屬層。

8.如權利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述中間層采用化學氣相沉積工藝形成；去除位于所述金屬柵極側壁的所述中間層采用灰化方法實現。

9.一種CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括第一區域和第二區域，與所述第一區域對應的襯底上包括第一多晶硅柵，與所述第二區域對應的襯底上包括第二多晶硅柵；

在所述襯底、所述第一多晶硅柵和所述第二多晶硅柵上依次形成中間層、隔離層和第一層間介質層；

進行平坦化處理，使所述第一層間介質層的上表面與所述隔離層的上表面齊平；

在所述第二區域對應的隔離層和第一層間介質層上形成第一硬掩模層；

去除所述第一多晶硅柵上方的所述隔離層，剩余的所述隔離層的上表面與所述中間層的上表面齊平；

去除所述第一多晶硅柵上方的所述中間層，剩余的所述中間層的上表面與所述第一多晶硅柵的上表面齊平；

去除所述第一多晶硅柵，形成第一溝槽；

在所述第一溝槽中形成第一金屬柵極，去除所述第一硬掩模層，且第一金屬柵極的上表面與所述第一層間介質層的上表面齊平；

在所述第一區域對應的隔離層和第一層間介質層上形成第二硬掩模層；

去除所述第二多晶硅柵上方的所述隔離層，剩余的所述隔離層的上表面與所述中間層的上表面齊平；

去除所述第二多晶硅柵上方的所述中間層，剩余的所述中間層的上表面與所述第二多晶硅柵的上表面齊平；

去除所述第二多晶硅柵，形成第二溝槽；

在所述第二溝槽中形成第二金屬柵極；

進行平坦化處理，去除所述第二硬掩模層，且使所述第一金屬柵極的上表面、所述第二金屬柵極的上表面、所述第一層間介質層的上表面、所述隔離層的上表面和所述中間層的上表面齊平；

去除位于所述第一金屬柵極側壁和所述第二金屬柵極側壁的所述中間層，形成空隙；

在所述第一層間介質層、所述隔離層、所述空隙、所述第一金屬柵極和所述第二金屬柵極的上表面形成第二層間介質層。