[發(fā)明專利]鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻工藝代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210253921.X
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN102787297A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設計）人: 董闖;陳寶清;牟宗信;王清;羌建兵;王英敏
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: C23C14/16
• 分類號: C23C14/16;C23C14/32
• 代理公司: 大連理工大學專利中心 21200
• 代理人: 侯明遠

1.一種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻工藝代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝，其特征是鋼鐵、鋅基合金工件（6）采用真空陰極電弧鍍-磁控濺射-電子束離子鍍技術，進行離子鍍鉻工藝代替現(xiàn)行電鍍裝飾鉻工藝和離子鍍超硬鉻代替電鍍硬鉻，離子鍍底膜鉻代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝中含氰電鍍銅層，防止鋅基合金工件（6）鋅元素揮發(fā)，離子鍍膜與工件（6）之間形成過渡層提高離子鍍膜附著性，離子鍍氮化鋯或氮化鉻代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝中電鍍鎳層，離子鍍鉻或離子鍍鈷代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝中電鍍鉻層，離子鍍氮化鉻和離子鍍鉻復合鍍膜代替電鍍硬鉻，離子鍍金屬化合物光亮劑鍍膜五氧化三鈦（Ti3O5）或三氧化二鋁（Al2O3）或二氧化硅（SiO2）或氧化鋯（ZrO2）或氧化鋅（ZnO）提高離子鍍膜光亮性。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻工藝代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝，其特征是工件（6）施加脈沖變負偏壓工藝：電壓-200V占空比10-30%時間4-8min→-400V占空比10-30%時間2-4min→-600V占空比10-30%時間2-4min→-（900—2000）V占空比10-30%時間6-10min→-300V占空比10-30%時間2-4min，離子鍍底膜鉻（Cr）代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝中止氰電鍍銅，膜層與工件(6)之間形成0.5-4微米（μ）厚度的過渡層，提高鍍膜附著性，同時也防止鋅基合金中鋅（Zn）元素在真空離子鍍過程中揮發(fā)。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻工藝代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝，其特征是離子鍍耐蝕鍍膜氮化鋯（ZrN）或氮化鉻（CrN）代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝中電鍍鎳層。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻工藝代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝，其特征是離子鍍鉻或離子鍍鈷代替現(xiàn)行電鍍裝飾鉻工藝中電鍍鉻層。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻工藝代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝，離子鍍氮化鉻和離子鍍鉻復合鍍膜代替電鍍硬鉻。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻工藝代替現(xiàn)行電鍍鉻工藝，其特征是離子鍍金屬化合物光亮劑鍍膜五氧化三鈦（Ti3O5）或三氧化二鋁（Al2O3）或二氧化硅（SiO2）或氧化鋯（ZrO2）或氧化鋅（ZnO）提高離子鍍膜光亮性。