[發明專利]靜電保護結構

有效

• 申請號: 201210253787.3
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN103579218A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 王邦麟;蘇慶
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種靜電保護結構，其特征是，包括：一N+/P阱二極管和一多晶硅二極管；

所述N+/P阱二極管其P阱通過P+擴散區連接地電位,其N+擴散區通過金屬連線與所述多晶硅二極管的一矩形P+擴散區相連；

所述多晶硅二極管包括：形成在P-多晶硅襯底上的兩個P+擴散區和兩個N+擴散區；所述P+擴散區分列于所述N+擴散區兩側，其中一P+擴散區為矩形，另一P+擴散區呈由靠近N+擴散區向遠離N+擴散區方向寬度逐漸增加的階梯形結構；所述N+擴散區在靠近階梯形P+擴散區的一側形成與階梯形P+擴散區相對應的階梯形結構；所述N+擴散區通過金屬連線并連后接電源電位，所述階梯形P+擴散區通過金屬連線接輸出/入端口。

2.如權利要求1所述的靜電保護結構，其特征是：所述多晶硅二極管具有一中心剖線（b-b),所述階梯形P+擴散區沿中心剖線（b-b)呈對稱分布。

3.一種靜電保護結構，其特征是，包括：一P+/N阱二極管和一多晶硅二極管；

所述P+/N阱二極管其N阱通過N+擴散區連接電源電位,其P+擴散區通過金屬連線與所述多晶硅二極管的一矩形N+擴散區相連；

所述多晶硅二極管包括：形成在N-多晶硅襯底上的兩個P+擴散區和兩個N+擴散區；所述N+擴散區分列于所述P+擴散區兩側，其中一N+擴散區為矩形，另一N+擴散區呈由靠近P+擴散區向遠離P+擴散區方向寬度逐漸增加的階梯形結構；所述P+擴散區在靠近階梯形N+擴散區的一側形成與階梯形N+擴散區相對應的階梯形結構；所述P+擴散區通過金屬連線并連后接地電位，所述階梯形N+擴散區通過金屬連線接輸出/入端口。

4.如權利要求3所述的靜電保護結構，其特征是：所述多晶硅二極管具有一中心剖線（c-c）,所述階梯形N+擴散區沿所述中心剖線（c-c）呈對稱分布。