[發(fā)明專利]具結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體器件及該結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210253295.4
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN102768947A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李國延;汪德文;周大偉
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L29/36
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟：

在晶圓管芯的終端結(jié)構(gòu)上進(jìn)行主結(jié)光刻，露出主結(jié)的注入窗口；

通過所述主結(jié)的注入窗口對所述終端結(jié)構(gòu)進(jìn)行離子注入形成主結(jié)；

在所述終端結(jié)構(gòu)上進(jìn)行擴(kuò)展區(qū)光刻，形成擴(kuò)展區(qū)的注入窗口；所述主結(jié)的注入窗口位于所述擴(kuò)展區(qū)的注入窗口內(nèi)；

通過所述擴(kuò)展區(qū)的注入窗口對所述終端結(jié)構(gòu)再次進(jìn)行離子注入形成擴(kuò)展區(qū)；

對所述主結(jié)和擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散，擴(kuò)散后的主結(jié)結(jié)深大于擴(kuò)散后的擴(kuò)展區(qū)結(jié)深。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，擴(kuò)散后的擴(kuò)展區(qū)的雜質(zhì)濃度為擴(kuò)散后的主結(jié)的雜質(zhì)濃度的1‰~1%。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述擴(kuò)散后的擴(kuò)展區(qū)的雜質(zhì)濃度為擴(kuò)散后的主結(jié)的雜質(zhì)濃度的5‰。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，兩次所述離子注入的注入能量均為60千電子伏。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，擴(kuò)展區(qū)離子注入的注入劑量為2.5*10¹²~6.0*10¹²/cm²。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，主結(jié)結(jié)深為17~19微米，擴(kuò)展區(qū)結(jié)深為15~18微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，擴(kuò)散后的所述擴(kuò)展區(qū)位于所述擴(kuò)散后的主結(jié)的外側(cè)。

8.一種具有結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體器件，包括終端結(jié)構(gòu)，所述終端結(jié)構(gòu)包括主結(jié)和擴(kuò)展區(qū)，其特征在于，所述擴(kuò)展區(qū)位于所述主結(jié)的外側(cè)，主結(jié)結(jié)深大于擴(kuò)展區(qū)結(jié)深。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述擴(kuò)展區(qū)的雜質(zhì)濃度為所述主結(jié)的雜質(zhì)濃度的5‰。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的具有結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，主結(jié)結(jié)深為17~19微米，擴(kuò)展區(qū)結(jié)深為15~18微米。