[發明專利]垂直式發光二極管晶粒及其制作方法

無效

• 申請號: 201210252683.0
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN103165806A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 朱俊宜;朱振甫;鄭兆禎
• 申請（專利權）人: 旭明光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/00
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種垂直式發光二極管(VLED)晶粒，其包括：

一第一金屬，具有一第一表面、一相對的第二表面、及一第一面積；

一第二金屬，位于該第一金屬的該第二表面之上，并具有一第二面積，其中，該第一金屬的該第一面積大于該第二金屬的該第二面積而形成一階梯狀結構；以及

一位于該第一金屬之上的磊晶堆棧，包括：

一第一型半導體層，位于該第一金屬的該第一表面之上；

一用以發光的多重量子井(MQW)層，位于該第一型半導體層之上；及

一第二型半導體層，位于該多重量子井(MQW)層之上。

2.如權利要求1所述的垂直式發光二極管晶粒，其特征在于，該第一型半導體層包含一p型半導體層，且該第二型半導體層包含一n型半導體層。

3.如權利要求1所述的垂直式發光二極管晶粒，進一步包含一位于該第一金屬的該第一表面之上的反射層。

4.如權利要求1所述的垂直式發光二極管晶粒，其特征在于，該磊晶堆棧大體上為角錐形的形狀，其中該第一型半導體層形成于其基部，且該第二型半導體層形成于其頂端部。

5.如權利要求1所述的垂直式發光二極管晶粒，其特征在于，該第一金屬包含一選自由銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鈷(Co)、銅-鈷(Cu-Co)、鎳-鈷(Ni-Co)、銅-鉬(Cu-Mo)、鎳/銅(Ni/Cu)、及鎳/銅-鉬(Ni/Cu-Mo)組成的金屬群或其合金的材料。

6.如權利要求1所述的垂直式發光二極管晶粒，其特征在于，該第二金屬包含一選自由銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鈷(Co)、銅-鈷(Cu-Co)、鎳-鈷(Ni-Co)、銅-鉬(Cu-Mo)、鎳/銅(Ni/Cu)、及鎳/銅-鉬(Ni/Cu-Mo)組成的金屬群或其合金的材料。

7.如權利要求1所述的垂直式發光二極管晶粒，其特征在于，該第一型半導體層包含一p型半導體層，其包含一選自由氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、及氮化銦鎵鋁(AlInGaN)組成材料群的材料。

8.如權利要求1所述的垂直式發光二極管晶粒，其特征在于，該第二型半導體層包含一n型半導體層，其包含一選自由氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、及氮化銦鎵鋁(AlInGaN)組成材料群的材料。

9.如權利要求1所述的垂直式發光二極管晶粒，其特征在于，該第一型半導體層包含p型氮化鎵(p-GaN)，且該第二型半導體層包含n型氮化鎵(n-GaN)。

10.一種垂直式發光二極管(VLED)晶粒，其包括：

一第一金屬，具有一第一表面、一相對的第二表面、及一第一面積；

一第二金屬，位于該第一金屬的該第二表面之上，并具有一第二面積，其中該第一金屬的該第一面積大于該第二金屬的該第二面積；以及

一位于該第一金屬的該第一表面之上的磊晶堆棧，包括：

一p型半導體層，位于該第一金屬的該第一表面之上；

一用以發光的多重量子井(MQW)層，位于該p型半導體層之上；及

一n型半導體層，位于該多重量子井(MQW)層之上；

其中，該第一金屬及該第二金屬形成一階梯狀保護結構，用以保護該磊晶堆棧；及

其中，該磊晶堆棧具有傾斜的側墻，且該側墻與該第一金屬之間的角度大于90度。

11.如權利要求10所述的垂直式發光二極管晶粒，進一步包含一位于該第一金屬的該第一表面之上的反射層。

12.如權利要求10所述的垂直式發光二極管晶粒，其特征在于，該磊晶堆棧大體上為角錐形的形狀，其中該p型半導體層形成于其基部，且該n型半導體層形成于其頂端部。

13.如權利要求10所述的垂直式發光二極管晶粒，其特征在于，該第一金屬及該第二金屬包含一選自由銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)、金(Au)、鈷(Co)、銅-鈷(Cu-Co)、鎳-鈷(Ni-Co)、銅-鉬(Cu-Mo)、鎳/銅(Ni/Cu)、及鎳/銅-鉬(Ni/Cu-Mo)組成的金屬群或其合金的材料。