[發明專利]H型陣列離子阱及在其中進行離子-離子反應的方法有效
| 申請號： | 201210250694.5 | 申請日： | 2012-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN102760635A | 公開（公告）日： | 2012-10-31 |
| 發明（設計）人： | 唐飛;陳一;王曉浩 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01J49/26 | 分類號： | H01J49/26 |
| 代理公司： | 北京康盛知識產權代理有限公司 11331 | 代理人： | 張良 |
| 地址： | 100084*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 離子 其中 進行 反應 方法 | ||
1.一種H型陣列離子阱，包括左離子阱、右離子阱和中心離子阱，所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱分別由X平行電極對、Y平行電極對和Z平行電極對構成矩形離子阱，其特征在于：所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱構成H型陣列；所述左離子阱和所述右離子阱平行設置，所述左離子阱的X平行電極對和所述右離子阱的X平行電極對相對；所述中心離子阱設置在所述左離子阱和所述右離子阱之間，所述中心離子阱的Z平行電極對分別和所述左離子阱的X平行電極對和所述右離子阱的X平行電極對相對。
2.如權利要求1所述的H型陣列離子阱，其特征在于：所述X平行電極對由兩塊中間有開口的平行設置的金屬板組成，所述Y平行電極對由兩塊中間有開口或者沒有開口的平行設置的金屬板組成，所述Z平行電極對由兩塊中心開有小孔的平行設置的金屬板組成。
3.如權利要求1或2所述的H型陣列離子阱，其特征在于：所述中心離子阱的Z平行電極對的小孔分別對準所述左離子阱和所述右離子阱的X平行電極對的開口處。
4.如權利要求1或2所述的H型陣列離子阱，其特征在于：所述中心離子阱的X平行電極對與所述左離子阱和所述右離子阱的Y平行電極對平行。
5.如權利要求1或2所述的H型陣列離子阱，其特征在于：所述X平行電極對和所述Y平行電極對的兩塊金屬板間的距離小于所述Z平行電極對的兩塊金屬板間的距離。
6.一種在H型陣列離子阱中進行離子-離子反應的方法，包括：
將待反應離子分別注入左離子阱和右離子阱；
將注入的所述待反應離子分別束縛在所述左離子阱和所述右離子阱中；
將所述待反應離子中比目標離子質荷比大的待反應離子從所述左離子阱和所述右離子阱中掃描出阱；
將所述待反應離子中比所述目標離子質荷比小的待反應離子從所述左離子阱和所述右離子阱中掃描出阱；
將所述左離子阱和所述右離子阱中的所述目標離子注入中心離子阱；
所述目標離子在所述中心離子阱中進行離子-離子反應。
7.如權利要求6所述的在H型陣列離子阱中進行離子-離子反應的方法，其特征在于：所述H型陣列離子阱包括左離子阱、右離子阱和中心離子阱，所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱分別由X平行電極對、Y平行電極對和Z平行電極對構成矩形離子阱，所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱構成H型陣列；所述左離子阱和所述右離子阱平行設置，所述左離子阱的X平行電極對和所述右離子阱的X平行電極對相對；所述中心離子阱設置在所述左離子阱和所述右離子阱之間，所述中心離子阱的Z平行電極對分別和所述左離子阱的X平行電極對和所述右離子阱的X平行電極對相對。
8.如權利要求7所述的在H型陣列離子阱中進行離子-離子反應的方法，其特征在于：所述X平行電極對由兩塊中間有開口的平行設置的金屬板組成，所述Y平行電極對由兩塊中間有開口或者沒有開口的平行設置的金屬板組成，所述Z平行電極對由兩塊中心開有小孔的平行設置的金屬板組成；所述X平行電極對和所述Y平行電極對的兩塊金屬板間的距離小于所述Z平行電極對的兩塊金屬板間的距離。
9.如權利要求6-8任一所述的在H型陣列離子阱中進行離子-離子反應的方法，其特征在于：所述中心離子阱的Z平行電極對的小孔分別對準所述左離子阱和所述右離子阱的X平行電極對的開口處。
10.如權利要求6-8任一所述的在H型陣列離子阱中進行離子-離子反應的方法，其特征在于：所述中心離子阱的X平行電極對與所述左離子阱和所述右離子阱的Y平行電極對平行。
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