[發明專利]場終止絕緣柵雙極型晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 201210250474.2
• 申請日: 2012-07-19
• 公開（公告）號: CN103578981A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 張碩;芮強;王根毅;鄧小社
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 唐立;王忠忠

1.一種場終止絕緣柵雙極型晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供已經基本形成場終止絕緣柵雙極型晶體管的正面結構的晶片；

在所述晶片的正面結構上沉積正面保護層；

將所述晶片翻轉使其背面朝向正面注入機，并使用該正面注入機對所述晶片的背面的場終止層進行離子注入摻雜以形成集電極層；以及

去除所述正面保護層。

2.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，提供的所述晶片中，包括正面結構中已經完成的位于柵電極之上的隔離介質層；其中，所述正面保護層沉積于該隔離介質層之上。

3.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，提供的所述晶片中，在所述晶片的背面的場終止層上，形成有用于在制備所述正面結構的過程中對所述場終止層進行保護的背面保護層。

4.?如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述晶片翻轉步驟之前，還包括步驟：

去除所述背面保護層。

5.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述正面保護層是至少由氧化層和氮化硅層形成的復合層結構，所述氧化層沉積形成于所述氮化硅層上。

6.?如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，去除所述正面保護層的步驟中，對所述氮化硅層采用全剝離方法去除，從而去除所述正面保護層。

7.?如權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，所述氧化層的厚度范圍為100nm至700nm，所述氮化硅層的厚度范圍為30nm至200nm。

8.?如權利要求1或5所述的制備方法，其特征在于，在所述晶片的正面結構上沉積正面保護層的步驟中，也同時在所述晶片的背面沉積有基本相同的正面保護層。

9.?如權利要求8所述的制備方法，其特征在于，在所述晶片翻轉步驟之前，還包括步驟：

去除所述晶片的背面的正面保護層。

10.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在去除所述正面保護層的步驟之后，還包括步驟：完成金屬電極的制備。

11.?如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述集電極層的摻雜濃度范圍為1E16離子/cm³至1E20離子/cm³。