[發明專利]背反射式太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201210250372.0
• 申請日: 2012-07-19
• 公開（公告）號: CN102790098A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 季蓮;楊輝;陸書龍;董建榮;何巍;代盼
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;H01L31/0693;H01L31/18
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種背反射式太陽能電池，其特征在于，包括一基底、依次設置于基底表面的一反射介質膜、一背電極和一電池薄膜。

2.根據權利要求1所述的背反射式太陽能電池，其特征在于，所述電池薄膜為GaAs電池薄膜，包括依次設置在背電極表面的GaInP背場層、GaAs基區、GaAs發射區、AlInP或GaInP的窗口層及接觸層。

3.根據權利要求2所述的背反射式太陽能電池，其特征在于，進一步包括上電極，所述上電極位于接觸層表面。

4.根據權利要求1所述的背反射式太陽能電池，其特征在于，所述背電極的材料為透明導電薄膜。

5.根據權利要求4所述的背反射式太陽能電池，其特征在于，所述透明導電薄膜為氧化銦錫、氧化銦鋅及石墨烯中任意一種。

6.根據權利要求1所述的背反射式太陽能電池，其特征在于，所述反射介質膜包括兩種類型介質層，所述兩種類型的介質層呈周期性間隔分布。

7.一種如權利要求1所述的背反射式太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括步驟：?1）提供一GaAs襯底；?2）在GaA襯底表面依次生長犧牲層及電池薄膜；?3）從犧牲層處將GaAs襯底和犧牲層剝離，直至顯露出電池薄膜表面；?4）在電池薄膜表面制備背電極；?5）提供一具有反射介質膜的基底；?6）將所述反射介質膜表面轉移至背電極表面。

8.根據如權利要求7所述的背反射式太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟2）進一步包括步驟：在GaAs襯底表面依次生長犧牲層、GaInP背場層、GaAs基區、GaAs發射區、AlInP或GaInP的窗口層及接觸層。

9.根據權利要求8所述的背反射式太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟2）和步驟3）之間進一步包括步驟：在接觸層表面生長上電極。

10.根據權利要求7所述的背反射式太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟6）中所述轉移為采用鍵合的方法。