[發(fā)明專利]用于BOOST變換器中的脈寬控制電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210249559.9 | 申請日: | 2012-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN102790525A | 公開(公告)日: | 2012-11-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 方健;潘福躍;唐莉芳;黎俐 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H02M3/155 | 分類號: | H02M3/155 |
| 代理公司: | 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 溫利平 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 boost 變換器 中的 控制電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電源技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種BOOST變換器中的脈寬控制電路的設(shè)計。
背景技術(shù)
隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展,電力電子設(shè)備與人們的工作、生活的關(guān)系日益密切,而一個穩(wěn)定的電源是電子設(shè)備必不可少的組成部分。BOOST變換器是一種常見的升壓式開關(guān)電源,要穩(wěn)定BOOST的輸出,需要一個負反饋網(wǎng)絡(luò)來調(diào)節(jié)BOOST變換器中開關(guān)管的脈沖寬度。
現(xiàn)有傳統(tǒng)的BOOST脈寬控制電路采用電壓比較的方式如附圖1所示,其中,式中,Vo表示BOOST變換器的輸出電壓,Vdc表示BOOST變換器的直流輸入電壓,Ton表示BOOST變換器開關(guān)管的柵極控制信號的占空比,R表示BOOST變換器的負載電阻,T表示BOOST變換器開關(guān)管的柵極控制信號的周期,L表示BOOST變換器中的儲能電感。這種控制方式可以實現(xiàn)輸出電壓的精確控制,但也存在一些不足,比如:電路需要一個Vref基準電壓、一個EA放大器以及一個PWM的電壓比較器,這樣對于電路的實現(xiàn)比較復(fù)雜,電路的功耗較大,尤其一個可靠的EA放大器需要相應(yīng)的穩(wěn)定補償電路,這增加了電路設(shè)計的難度以及電路的功耗。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有電壓比較型的BOOST脈寬控制電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜的問題,提出了一種用于BOOST變換器中的脈寬控制電路。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種用于BOOST變換器中的脈寬控制電路,具體包括:一V-I變換器、一電容元件、一恒流源、第一反相器、第二反相器、一二輸入與門、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管,
其中,
所述V-I變換器用于將所述BOOST變換器的輸出電壓轉(zhuǎn)換為電流,其輸入端接BOOST變換器的輸出端,輸出端接第一NMOS管的漏極、第一NMOS管的柵極、第二NMOS管的柵極以及第三NMOS管的漏極;
所述第一NMOS管的源極接地,所述第三NMOS管的柵極接外部的方波信號,所述第三NMOS管的源極接地,所述第二NMOS管的源極接地,所述恒流源的第一端接外部的直流電源,所述恒流源的第二端接所述第二NMOS管的漏極、所述電容元件的第一端及第一反相器的輸入端,所述電容元件的第二端接地,所述第一反相器的輸出端接所述第二反相器的輸入端,所述第二反相器的輸出端接二輸入與門的第一輸入端,所述二輸入與門的第二輸入端接所述第三NMOS管的柵極,所述二輸入與門的輸出端作為所述脈寬控制電路的輸出端。
本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的脈寬控制電路采用了V-I變換器,實現(xiàn)了用電流比較來調(diào)節(jié)BOOST變換器開關(guān)管的脈寬,省去了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的EA放大器、電壓比較器等模塊,大大降低了電路功耗以及電路設(shè)計的難度,電路結(jié)構(gòu)變得簡單,從而提高了集成度,降低了成本。
附圖說明
圖1是傳統(tǒng)的電壓比較型BOOST變換器脈寬控制電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明所實現(xiàn)的用于BOOST變換器中的脈寬控制電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明電路的具體實施示例電路圖。
具體實施方式
為了使本發(fā)明電流比較型的BOOST控制電路技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明做進一步的說明。
本發(fā)明的用于BOOST變換器中的脈寬控制電路,如圖2所示,具體包括:一V-I變換器、一電容元件C1、一恒流源I1、第一反相器Q1、第二反相器Q2、一二輸入與門Q3、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3,其中,
所述V-I變換器用于將所述BOOST變換器的輸出電壓轉(zhuǎn)換為電流,其輸入端接BOOST變換器的輸出端Vo,輸出端接M1的漏極、M1的柵極、M2的柵極以及M3的漏極;M1的源極接地,M3的柵極接外部的方波信號,M3的源極接地,M2的源極接地,恒流源I1的第一端接外部的直流電源VDD,恒流源I1的第二端接M2的漏極、C1的第一端及第一反相器Q1的輸入端,C1的第二端接地,第一反相器Q1的輸出端接第二反相器Q2的輸入端,第二反相器Q2的輸出端接二輸入與門Q3的第一輸入端,Q3的第二輸入端接M3的柵極,二輸入與門Q3的輸出端作為所述脈寬控制電路的輸出端Vcon,接BOOST變換器開關(guān)管的控制端。
需要說明的是外部的方波信號的占空比可以根據(jù)實際需要進行選取,對于BOOST變換器來說,一般占空比要大于50%。
反相器Q1和Q2作用在于:一是給電容元件的充放電設(shè)定一個翻轉(zhuǎn)值;二是起到了對電壓波形進行整形的作用。
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