[發(fā)明專利]半導體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210249451.X | 申請日: | 2012-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN102890960A | 公開(公告)日: | 2013-01-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 山木貴志 | 申請(專利權)人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C11/413 | 分類號: | G11C11/413;G11C5/14 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 溫旭;郝傳鑫 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件,所述半導體器件包括:
設置在半導體基底上的多個存儲模塊,由控制信號控制各存儲模塊進入低能耗模式和退出低能耗模式,
其中,所述存儲模塊屬于存儲塊,
其中,所述控制信號通過上級模塊外部路徑并行輸入屬于同一存儲塊的存儲模塊并且通過模塊內部路徑傳輸,
其中,所述控制信號通過模塊內部路徑由所述存儲模塊中的特定存儲模塊輸出并且輸出至下級模塊外部路徑,并且
其中,所述特定存儲模塊的存儲容量比屬于同一存儲塊的另一存儲模塊的存儲容量大。
2.如權利要求1所述的半導體器件,其中,所述存儲模塊被配置為沿各存儲模塊中的模塊內部路徑的傳播時間隨所述存儲模塊的存儲容量的增大而增加。
3.如權利要求2所述的半導體器件,其中,確定沿所述模塊內部路徑的傳播時間的延遲因素包括形成所述模塊內部路徑的配線的配線電阻、與所述配線相關的寄生電容以及位于所述配線中部的驅動電路的操作延遲。
4.如權利要求2所述的半導體器件,其中,確定沿所述模塊內部路徑的傳播時間的延遲因素包括檢測電路所需的檢測操作時間,且該檢測操作時間是檢測電路檢測出所述低能耗模式響應控制信號的變化而被取消所需的操作時間。
5.如權利要求2所述的半導體器件,其中,所述特定存儲模塊為在該特定存儲模塊所屬的存儲塊中存儲容量最大的存儲模塊。
6.如權利要求2所述的半導體器件,其中,所述模塊內部路徑被設置為,在存儲陣列中平行排列的位線數(shù)目大于平行排列的字線數(shù)目的情況下,所述模塊內部路徑沿與所述位線相交的方向延伸,而在相反的情況下,所述模塊內部路徑沿與所述字線相交的方向延伸。
7.如權利要求3所述的半導體器件,
其中,各存儲模塊包括:具有與選擇端子耦合的字線的存儲單元陣列、配置成根據(jù)地址信號生成字線選擇信號的地址譯碼器、配置成根據(jù)由所述地址譯碼器生成的字線選擇信號選擇性地驅動所述字線至選擇電平的字驅動器以及多個第一MOS晶體管,當所述第一MOS晶體管接通時向所述字線提供對應于非選擇電平的電勢,
其中,當所述控制信號處于第一狀態(tài)中時,切斷所述地址譯碼器和所述字驅動器的電源電壓供應并且接通所述第一MOS晶體管,由此設置所述存儲模塊進入低能耗模式,而當所述控制信號處于第二狀態(tài)中時,所述存儲模塊退出所述低能耗模式,并且
其中,所述模塊內部路徑沿與所述字線延伸方向相交的方向延伸且所述模塊內部路徑順序地與各第一MOS晶體管的柵極耦合以使所述控制信號從所述模塊內部路徑的一端傳送至其另一端。
8.如權利要求3所述的半導體器件,
其中,各存儲模塊包括:具有與互補位線耦合的數(shù)據(jù)輸入/輸出端子的靜態(tài)類型存儲單元陣列、用于向存儲單元提供電流以保持數(shù)據(jù)的多個第二MOS晶體管以及形成為二極管耦合結構且與各第二MOS晶體管平行設置的第三MOS晶體管,
其中,當所述控制信號處于第一狀態(tài)中時,所述第二MOS晶體管被截止由此設置所述存儲模塊進入所述低能耗模式,而當所述控制信號處于第二狀態(tài)中時,所述存儲模塊退出所述低能耗模式,并且
其中,所述模塊內部路徑沿與所述互補位線延伸方向相交的方向延伸且所述模塊內部路徑順序地與各第二MOS晶體管的柵極耦合以使所述控制信號從所述模塊內部路徑的一端向其另一端傳送。
9.如權利要求3所述的半導體器件,其中,
各存儲模塊包括:具有與互補位線耦合的數(shù)據(jù)輸入/輸出端子的靜態(tài)類型存儲單元陣列、檢測所述互補位線之間的電勢差且放大所檢測到的電勢差的靈敏放大器、第四MOS晶體管以及第五MOS晶體管,所述第四MOS晶體管當在柵電極處接收使能控制信號時,向所述靈敏放大器提供操作電流,所述第五MOS晶體管當選擇性地接通時,選擇性地迫使所述使能控制信號的信號路徑至無效電平,
其中,所述控制信號具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài),所述第一狀態(tài)使所述第五MOS晶體管接通,從而設置所述存儲模塊進入所述低能耗模式,所述第二狀態(tài)使所述存儲模塊退出所述低能耗模式,并且
其中,所述模塊內部路徑沿與所述互補位線延伸方向相交的方向延伸且所述模塊內部路徑順序地與各第五MOS晶體管的柵極耦合以使所述控制信號從所述模塊內部路徑的一端向其另一端傳送。
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