[發明專利]溝槽的填充方法

有效

• 申請號: 201210249377.1
• 申請日: 2012-07-18
• 公開（公告）號: CN103035515A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 成鑫華;羅嘯;錢志剛;袁苑
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種溝槽的填充方法，其特征在于，包含如下工藝步驟：

第1步，在刻蝕好溝槽的器件表面淀積一層溝槽底部臺階覆蓋性大于80％的氧化膜；

第2步，淀積第一氧化硅薄膜；

第3步，對第一氧化硅薄膜進行回刻；

第4步，淀積第二氧化硅薄膜；

第5步，對第二氧化硅薄膜進行回刻；

第6步，再次淀積第一氧化硅薄膜；

第7步，對第一氧化硅薄膜進行回刻，溝槽填充完成。

2.如權利要求1所述的溝槽的填充方法，其特征在于，所述第1步中溝槽的頂部包含一層二氧化硅和一層氮化硅，溝槽的深度為5μm，開口寬度為0.8～4μm。

3.如權利要求1所述的溝槽的填充方法，其特征在于，所述第1步中淀積的氧化膜的方法為低壓爐管沉積或者其他方法，淀積的氧化膜厚度為

4.如權利要求1所述的溝槽的填充方法，其特征在于，所述第2步及第4步中分別淀積的第一氧化硅薄膜和第二氧化硅薄膜的淀積方法為化學氣相沉積法或旋涂式或者其他方法，第二氧化硅薄膜的應力與第一氧化硅薄膜相反，淀積的第一氧化硅薄膜和第二氧化硅薄膜的厚度范圍均為0.1～2μm。

5.如權利要求1所述的溝槽的填充方法，其特征在于，所述第3步、第5步及第7步中的刻蝕方法為干法刻蝕或者其他刻蝕方法，其刻蝕量范圍均為0.1～2μm。

6.如權利要求1所述的溝槽的填充方法，其特征在于，所述第2步至第7步的淀積及回刻步驟的循環次數為1～7次。

7.如權利要求1所述的溝槽的填充方法，其特征在于，當溝槽開口在4～7μm時，所述工藝還將繼續進行如下的步驟：

第8步，淀積第二氧化硅薄膜；

第9步，采用化學機械研磨法對第二氧化硅薄膜進行研磨；

第10步，淀積第一氧化硅薄膜，溝槽填充完成。

8.如權利要求7所述的溝槽的填充方法，其特征在于，所述第9步化學機械研磨的研磨量為0.1～2μm。

9.如權利要求7所述的溝槽的填充方法，其特征在于，所述第8步及第9步中沉積與化學機械研磨的循環次數為1～3次。