[發明專利]發光模塊

有效

• 申請號: 201210248821.8
• 申請日: 2012-07-18
• 公開（公告）號: CN103378080B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 孫圣淵;蘇柏仁
• 申請（專利權）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種發光模塊，其特征在于，包括：

一基板，具有一十字形中心區域以及一環繞該十字形中心區域的該周邊區域；

多個第一發光二極管芯片，配置于該基板上，且至少位于該十字形中心區域內；以及

多個第二發光二極管芯片，配置于該基板上，且至少位于該周邊區域內，其中各該第二發光二極管芯片的尺寸小于各該第一發光二極管的尺寸，而這些第一發光二極管芯片位在該周邊區域內的個數小于位在該十字形中心區域內的個數，且這些第二發光二極管芯片位在該十字形中心區域內的個數小于位在該周邊區域內的個數。

2.根據權利要求1所述的發光模塊，其特征在于，這些第一發光二極管芯片的主要發光波長在一特定色光的波長范圍內，且至少有兩個這些第一發光二極管芯片的主要發光波長的差值大于等于5納米。

3.根據權利要求2所述的發光模塊，其特征在于，這些第一發光二極管芯片為藍光發光二極管芯片，且該主要發光波長為440～480納米。

4.根據權利要求1所述的發光模塊，其特征在于，這些第二發光二極管芯片的主要發光波長在一特定色光的波長范圍內，且至少有兩個這些第二發光二極管芯片的主要發光波長的差值大于等于5納米。

5.根據權利要求4所述的發光模塊，其特征在于，這些第二發光二極管芯片為紅光發光二極管芯片，且該主要發光波長為600～760納米。

6.根據權利要求1所述的發光模塊，其特征在于，這些第一發光二極管芯片以及這些第二發光二極管芯片為藍光發光二極管芯片，且該主要發光波長為500～560納米。

7.根據權利要求1所述的發光模塊，其特征在于，還包括一透鏡，配置于該基板上，且至少覆蓋這些第一發光二極管芯片與這些第二發光二極管芯片于該基板上所占總面積的70％以上。

8.根據權利要求7所述的發光模塊，其特征在于，該透鏡的外型包括圓形或橢圓形。

9.根據權利要求1所述的發光模塊，其特征在于，還包括多個熒光層，分別配置于這些第一發光二極管芯片以及這些第二發光二極管芯片上。

10.根據權利要求1所述的發光模塊，其特征在于，各該第一發光二極管芯片的邊長為L1，而各該第二發光二極管芯片的邊長為L2，則L2≤L1/2.]]>

11.根據權利要求1所述的發光模塊，其特征在于，還包括多個第三發光二極管芯片，配置于該基板上，且至少位于該周邊區域內，其中各該第三發光二極管芯片的尺寸小于各該第二發光二極管的尺寸，且這些第三發光二極管芯片位在該十字形中心區域內的個數小于位在該周邊區域內的個數。

12.根據權利要求11所述的發光模塊，其特征在于，各該第一發光二極管芯片的邊長為L1，而各該第三發光二極管芯片的邊長為L3，則L3≤L1/2。

13.根據權利要求11所述的發光模塊，其特征在于，這些第三發光二極管芯片的主要發光波長在一特定色光的波長范圍內，且至少有兩個這些第三發光二極管芯片的主要發光波長的差值大于等于5納米。

14.根據權利要求11所述的發光模塊，其特征在于，這些第三發光二極管芯片為綠光發光二極管芯片，且該主要發光波長為500～560納米。

15.根據權利要求10所述的發光模塊，其特征在于，這些第一發光二極管芯片、這些第二發光二極管芯片以及這些第三發光二極管芯片為藍光發光二極管芯片，且該主要發光波長為440～480納米。

16.根據權利要求11所述的發光模塊，其特征在于，這些第三發光二極管芯片為多個覆晶式發光二極管芯片。

17.根據權利要求1所述的發光模塊，其特征在于，這些第一發光二極管芯片為多個覆晶式發光二極管芯片。

18.根據權利要求1所述的發光模塊，其特征在于，這些第二發光二極管芯片為多個覆晶式發光二極管芯片。