[發明專利]一種具有ESD保護功能的nLDMOS器件

無效

• 申請號: 201210248776.6
• 申請日: 2012-07-18
• 公開（公告）號: CN102790087A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發明（設計）人: 張波;樊航;蔣苓利;吳道訓;何川
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 溫利平

1.一種具有ESD保護功能的nLDMOS器件，包括：N型或P型半導體襯底Sub，位于N型或P型半導體襯底Sub表面的P型半導體基區Pbody，位于N型或P型半導體襯底Sub表面的N型半導體漂移區Ndrift；P型半導體基區Pbody與N型半導體漂移區Ndrift相互接觸或彼此分離；P型半導體基區Pbody遠離N型半導體漂移區Ndrift的表面具有源極P+接觸區和源極N+接觸區，源極P+接觸區和源極N+接觸區通過金屬連接并引出作為器件的源極Source；N型半導體漂移區Ndrift遠離P型半導體基區Pbody的表面具有漏極N+接觸區，漏極N+接觸區通過金屬引出作為器件的漏極Drain；N型半導體漂移區Ndrift中間部分的表面具有場氧化層Oxide，P型半導體基區Pbody與N型半導體漂移區Ndrift相互靠近部分的表面以及場氧化層Oxide的表面具有柵氧化層，柵氧化層表面是多晶硅柵區，多晶硅柵區通過通過金屬引出作為器件的柵極Gate；

其特征在于，在漏極N+接觸區下方的N型半導體漂移區Ndrift內部還具有一個低壓P阱區LVPW和一個低壓N阱區LVNW；所述低壓P阱區LVPW和低壓N阱區LVNW相互接觸或彼此分離。

2.根據權利要求1所述的具有ESD保護功能的nLDMOS器件，其特征在于：所述nLDMOS器件的襯底Sub表面具有一層深N型半導體擴散區DNW，P型半導體基區Pbody和N型半導體漂移區Ndrift做在所述深N型半導體擴散區DNW表面；且P型半導體基區Pbody和N型半導體漂移區Ndrift彼此分離，氧化層Oxide覆蓋N型半導體漂移區Ndrift靠近P型半導體基區Pbody部分的表面并覆蓋部分深N型半導體擴散區DNW的表面。

3.根據權利要求1所述的具有ESD保護功能的nLDMOS器件，其特征在于：所述nLDMOS器件的襯底Sub表面具有一N型外延層Nepi，P型半導體基區Pbody和N型半導體漂移區Ndrift做在該N型外延層Nepi表面，所述N型外延層Nepi與襯底Sub之間還具有一N+埋層NBL；P型半導體基區Pbody和N型半導體漂移區Ndrift彼此分離，氧化層Oxide覆蓋N型半導體漂移區Ndrift靠近P型半導體基區Pbody部分的表面并覆蓋部分N型外延層Nepi表面。