[發明專利]一種大功率器件表面保護材料去除方法有效
| 申請號: | 201210248188.2 | 申請日: | 2012-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN103545171A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 金波;宋世濤 | 申請(專利權)人: | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100871 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 大功率 器件 表面 保護 材料 去除 方法 | ||
1.一種大功率器件表面保護材料去除方法,其特征在于,包括:
將表面覆蓋保護材料的大功率器件置于濃度為96%~100%的硫酸溶液中,去除大功率器件表面由硅樹脂材料構成的保護層一;
將所述去除由硅樹脂材料構成的保護層一的大功率器件置于濃度為96%~100%的硝酸溶液中并加熱至沸騰,去除大功率器件表面由聚酰亞胺類樹脂材料構成的保護層二。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述硫酸溶液的濃度為98%。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,將表面覆蓋保護材料的大功率器件置于濃度為96%~100%的硫酸溶液中,去除大功率器件表面由硅樹脂材料構成的保護層一,包括:
根據所述大功率器件表面由硅樹脂材料構成的保護層一的結構及厚度確定所述大功率器件對應的浸泡時長,將表面覆蓋保護材料的大功率器件在濃度為96%~100%的硫酸溶液中浸泡所述浸泡時長,去除大功率器件表面由硅樹脂材料構成的保護層一。
4.如權利要求3所述的方法,其特征在于,所述大功率器件表面由硅樹脂材料構成的保護層一的結構及厚度為10mm時,確定所述大功率器件對應的浸泡時長為1小時,將表面覆蓋保護材料的大功率器件在濃度為96%~100%的硫酸溶液中浸泡1小時,去除大功率器件表面由硅樹脂材料構成的保護層一。
5.如權利要求1至3任一項所述的方法,其特征在于,將所述大功率器件置于濃度為96%~100%的硫酸溶液之前,進一步包括:
采用機械方法去除大功率器件最外層的塑料外殼。
6.如權利要求1至3任一項所述的方法,其特征在于,去除大功率器件表面由硅樹脂材料構成的保護層一后,并在去除由聚酰亞胺類樹脂材料構成的保護層二之前,進一步包括:
將去除由硅樹脂材料構成的保護層一的大功率器件進行清洗;
對清洗后的大功率器件的陶瓷底板和金屬底板進行加熱,去除所述金屬底板和陶瓷底板。
7.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述硝酸溶液的濃度為99%。
8.如權利要求1或7所述的方法,其特征在于,將所述去除由硅樹脂材料構成的保護層一的大功率器件置于濃度為96%~100%的硝酸溶液中并加熱至沸騰,去除大功率器件表面由聚酰亞胺類樹脂材料構成的保護層二,包括:
將所述去除由硅樹脂材料構成的保護層一的大功率器件置于濃度為96%~100%的硝酸溶液中并加熱至沸騰后,根據所述大功率器件表面由聚酰亞胺類樹脂材料構成的保護層二的結構和厚度確定對應的加熱時長,將表面覆蓋保護材料的大功率器件在濃度為96%~100%的硝酸溶液加熱相應的加熱時長,去除大功率器件表面由聚酰亞胺類樹脂材料構成的保護層二。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





