[發(fā)明專利]一種TOP LED金屬支架及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210247959.6
• 申請日: 2012-07-17
• 公開（公告）號: CN102956795A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫百榮
• 申請（專利權(quán)）人: 孫百貴
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/56;H01L33/00
• 代理公司: 廣東秉德律師事務(wù)所 44291
• 代理人: 楊煥軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是一種TOP?LED金屬支架及其制造方法。

背景技術(shù)

LED（Light?emitting?diode，發(fā)光二極管）由于具有低能耗、高亮度的優(yōu)點，今年來已成為發(fā)展最為迅猛、最具潛力的新型光源器件。而在LED的發(fā)展中，方向性好，結(jié)構(gòu)簡單的TOP?LED（頂部出光的LED）器件一直是一個主要研究方向。為了更好的控制LED器件的出光方向和發(fā)光角度，通常需要在LED芯片周圍設(shè)置反射杯，使得LED芯片發(fā)出的光只能朝向器件頂部（即反射杯開口方向）射出。這種具有反射杯、頂部出光的LED器件即被行業(yè)內(nèi)稱為TOP?LED器件。

TOP?LED器件現(xiàn)在較為常用的一種普通TOP管支架，其中間是0.2MM厚度的銅材，在制造過程中，用模具把正、負電極沖開后折彎；然后，通過注塑機用PPA（聚鄰苯二烯胺）材料把銅材包裹，只露出正、負電極。此種結(jié)構(gòu)具有一些致命缺陷，因為PPA材料直接附在銅材上，銅材與PPA材料的熱膨脹系數(shù)不同，很容易導(dǎo)致PPA材料與銅材之間出現(xiàn)縫隙，空氣中的水氣就很容易經(jīng)間隙進入到器件內(nèi)部，導(dǎo)致器件短路或損壞；同時，該結(jié)構(gòu)中，銅材被包裹在PPA材料中間，因此，LED芯片發(fā)光時產(chǎn)生的熱量無法導(dǎo)出，在熱量聚集到一定的程度時，會導(dǎo)致封裝膠進行二次熔化，熔化的膠體流動會拉斷金線，導(dǎo)致死燈。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供了一種TOP?LED金屬支架。

本發(fā)明的另一目的在于提供了一種TOP?LED金屬支架制造方法。

為了達到上述目的，本發(fā)明采用了如下的技術(shù)方案：

一種TOP?LED金屬支架，包括正電極、負電極、分別設(shè)于該正電極、該負電極一側(cè)的引線及設(shè)于該正電極、該負電極上的反射杯，該正電極、該負電極的表面分別設(shè)有一凹陷區(qū)域，該凹陷區(qū)域表面覆蓋一防氧化處理層，該防氧化處理層延伸至該引線的表面，并經(jīng)由該正電極、該負電極的側(cè)面延伸至該正電極、該負電極及該引線的底面；所述反射杯設(shè)置在該防氧化處理層上。

作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案：所述反射杯為環(huán)氧樹脂材料。

作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案：所述正電極、負電極間填充有環(huán)氧樹脂。

作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案：所述正電極、負電極的底面分別設(shè)有一凸出的熱沉，該熱沉一側(cè)的臺階處設(shè)有環(huán)氧樹脂封裝。

作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案：所述凹陷區(qū)域的深度為0.1-1.0mm。

一種TOP?LED金屬支架制造方法，包括以下步驟：

a、提供一厚度為0.3-2.0mm的金屬板；

b、在金屬板上預(yù)設(shè)正電極、負電極及引線圖案；

c、采用防腐蝕材料覆蓋上述預(yù)設(shè)的正電極、負電極及引線圖案；

d、采用蝕刻或者模具沖壓的方法去掉預(yù)設(shè)的正電極、負電極及引線圖案以外的金屬材料，形成具有正電極、負電極及引線的金屬支架；

e、除去正電極、負電極及引線表面的防腐蝕材料；

f、在引線表面涂覆防腐蝕材料；

g、在未覆蓋防腐蝕材料的正電極、負電極表面蝕刻減薄，分別在正電極與負電極上形成一凹陷區(qū)域；

h、去除引線表面的防腐蝕材料；

i、對正電極、負電極及引線進行電鍍防氧化處理，在凹陷區(qū)域表面形成一防氧化處理層，該防氧化處理層延伸至該引線的表面，并經(jīng)由該正電極、該負電極的側(cè)面延伸至該正電極、該負電極及該引線的底面；

j、采用模具注塑的方式在防氧化處理層上成型反射杯。

作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案：所述反射杯為環(huán)氧樹脂材料。

作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案：所述正電極、負電極間填充有環(huán)氧樹脂。

作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案：所述正電極、負電極的底面分別設(shè)有一凸出的熱沉，該熱沉一側(cè)的臺階處設(shè)有環(huán)氧樹脂封裝。

作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案：所述凹陷區(qū)域的深度為0.1-1.0mm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所揭露的TOP?LED金屬支架，其底部的熱沉部分直接露在外面，沒有PPA材料包裹，LED芯片發(fā)光的熱量直接從其背面導(dǎo)出，避免了熱量聚集，另外封裝的材料采用高TG（玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度）的環(huán)氧樹脂進行注塑，高TG的環(huán)氧樹脂熱膨脹系數(shù)與銅材相近，并且可耐300度的高溫；因此，用此支架制造的器件很好的解決了由于芯片、封裝膠體、金線、金屬支架、固晶膠等熱膨脹系數(shù)不同而導(dǎo)致器件可靠性不高的問題。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的工藝流程圖。