[發明專利]半導體裝置及使用其的電力轉換裝置有效
| 申請號: | 201210247689.9 | 申請日: | 2012-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN102891172A | 公開(公告)日: | 2013-01-23 |
| 發明(設計)人: | 渡邊聰;白石正樹;鈴木弘;森睦宏 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | H01L29/739 | 分類號: | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 張寶榮 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 使用 電力 轉換 | ||
1.一種半導體裝置,其特征在于,具備:
第一導電型的第一半導體層;
形成在該第一半導體層的一表面上的第二導電型的第二半導體層;
形成在所述第一半導體層的與所述第二半導體層相反側的表面上的溝槽;
在所述第一半導體層的剩余的表面上由所述溝槽夾持側面的半導體凸部;
選擇性地形成在該半導體凸部的表面上的第二導電型的第三半導體層;
選擇性地形成在該第三半導體層的表面上,且與所述第一半導體層相比雜質濃度高的第一導電型的第四半導體層;
沿著所述溝槽的內壁的一部分設置的柵極絕緣層;
沿著所述溝槽的內壁的剩余的區域設置的第一層間絕緣層;
至少一部分隔著所述柵極絕緣層而與所述第四半導體層對置的第一導電層;
形成在所述第一層間絕緣層的表面上的第二導電層;
至少一部分覆蓋所述第二導電層的至少一部分的表面的第二層間絕緣層;
至少一部分形成在所述第三半導體層與第四半導體層的表面上,且與所述第四半導體層電連接的第三導電層;
將所述第三導電層和所述第三半導體層電連接的觸點部;
形成在所述第二半導體層的表面上的第四導電層,
所述半導體凸部的表面的一部分為所述第一半導體層。
2.一種半導體裝置,其特征在于,具備:
第一導電型的第一半導體層;
形成在該第一半導體層的一表面上的第二導電型的第二半導體層;
形成在所述第一半導體層的與所述第二半導體層相反側的表面上的溝槽;
在所述第一半導體層的剩余的表面上由所述溝槽夾持側面的半導體凸部;
選擇性地形成在該半導體凸部的表面上的第二導電型的第三半導體層;
選擇性地形成在該第三半導體層的表面上,且與所述第一半導體層相比雜質濃度高的第一導電型的第四半導體層;
沿著所述溝槽的內壁的一部分設置的柵極絕緣層;
沿著所述溝槽的內壁的剩余的區域設置的第一層間絕緣層;
至少一部分隔著所述柵極絕緣層而與所述第四半導體層對置的第一導電層;
形成在所述第一層間絕緣層的表面上的第二導電層;
至少一部分覆蓋所述第二導電層的至少一部分的表面的第二層間絕緣層;
至少一部分覆蓋所述第一導電層的至少一部分的表面的第三層間絕緣層;
至少一部分形成在所述第三半導體層與所述第四半導體層的表面上的第三導電層;
將所述第三導電層和所述第三半導體層電連接的觸點部;
形成在所述第二半導體層的表面上的第四導電層,
所述第一導電層的至少一部分覆蓋所述第二層間絕緣層的至少一部分的表面,
所述第三導電層的至少一部分覆蓋所述第三層間絕緣層的至少一部分的表面,
所述半導體凸部的表面的一部分為所述第一半導體層。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其特征在于,
所述第三導電層的一部分與所述第二導電層的一部分相接而實現電連接。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,
在所述溝槽和所述第四半導體層相鄰接的方向上,所述溝槽的寬度比所述半導體凸部的寬度大。
5.根據權利要求2所述的半導體裝置,其特征在于,
在所述溝槽和所述第四半導體層相鄰接的方向上,所述溝槽的寬度比所述半導體凸部的寬度大。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,
所述第三半導體層覆蓋所述第一導電層的壁部的周圍。
7.根據權利要求2所述的半導體裝置,其特征在于,
所述第三半導體層覆蓋所述第一導電層的壁部的周圍。
8.根據權利要求6所述的半導體裝置,其特征在于,
所述觸點部覆蓋所述第一導電層的壁部。
9.根據權利要求7所述的半導體裝置,其特征在于,
所述觸點部覆蓋所述第一導電層的壁部。
10.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,
所述溝槽與其所相鄰的溝槽連結,且在俯視配置中形成為環狀。
11.根據權利要求2所述的半導體裝置,其特征在于,
所述溝槽與其所相鄰的溝槽連結,且在俯視配置中形成為環狀。
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