[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210247533.0
• 申請日: 2012-07-17
• 公開（公告）號: CN102891126A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 町田修
• 申請（專利權(quán)）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及氮化物FET搭載在包含多個引線的引線框架上而成的氮化物半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

氮化鋁鎵(AlGaN)等由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的場效應(yīng)晶體管或雙向開關(guān)，作為高頻用/高耐壓用的氮化物FET(Field?Effect?Transistor，場效應(yīng)管)而受到關(guān)注。一般來說，氮化物FET等半導(dǎo)體元件是以在搭載到兼具配線及散熱板的引線框架上之后通過注模樹脂密封的方式來實用的。例如，公知有通過將氮化物FET配置在凸形狀的引線框架上，能夠改善散熱性的氮化物半導(dǎo)體裝置(專利文獻(xiàn)1)。

【專利文獻(xiàn)1】日本特開2010-80633號公報

但是，雖然公知了氮化物FET是具有非常高速的開關(guān)特性的器件，但是在記載于專利文獻(xiàn)1中的現(xiàn)有的氮化物半導(dǎo)體裝置中，沒有進行用于引出開關(guān)特性的充分的研究。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供具有搭載在引線框架上的氮化物FET、開關(guān)特性優(yōu)秀的氮化物半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)本發(fā)明的一方式，提供氮化物半導(dǎo)體裝置，其特征在于具有：氮化物FET；以及包含多個引線的引線框架，所述氮化物FET至少具有第1主電極、第2主電極和控制電極，所述引線框架具有：與所述第1主電極連接的第1引線；與所述第2主電極連接的第2引線及第3引線；以及與所述控制電極連接的第4引線，在所述氮化物FET中，根據(jù)施加在所述第3引線與所述第4引線之間的電壓，在所述第1引線與所述第2引線之間流過電流。

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供具有搭載在引線框架上的氮化物FET、開關(guān)特性優(yōu)秀的氮化物半導(dǎo)體裝置。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明的實施方式的氮化物半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意的俯視圖。

圖2是示出本發(fā)明的實施方式的開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)的電路框圖。

符號說明

1氮化物FET

2引線框架

21內(nèi)部引線

22外部引線

23下墊板

L_D漏極引線

L_S1第1源極引線

L_S2第2源極引線

L_G柵極引線

具體實施方式

接著，參照附圖說明本發(fā)明的實施方式。在以下的附圖的記載中，對相同或類似的部分附上相同或類似的符號。但是，應(yīng)注意附圖是示意的。并且，以下所示的實施方式，例示了用于具體化本發(fā)明的技術(shù)思想的裝置和方法，在本發(fā)明的實施方式中，結(jié)構(gòu)部件的結(jié)構(gòu)、配置等不會特定于以下的內(nèi)容。對于本發(fā)明的實施方式，可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)實施各種變更。

如圖1所示，本發(fā)明的實施方式的氮化物半導(dǎo)體裝置10具有氮化物FET1、包含多個引線21的引線框架2。氮化物FET1至少具有第1主電極D、第2主電極S和控制電極G，引線框架2具有與第1主電極D連接的第1引線L_D、與第2主電極S連接的第2引線L_S1及第3引線L_S2、與控制電極G連接的第4引線L_G，在氮化物FET1中，根據(jù)施加在第3引線L_S2與第4引線L_G之間的電壓，在第1引線L_D與第2引線L_S1之間流過電流。

氮化物FET(Field?Effect?Transistor)1例如由公知的HEMT(High?Electron?Mobility?Transistor，高電子遷移率晶體管)構(gòu)成。即、氮化物FET具有由以Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)表示的氮化物半導(dǎo)體層構(gòu)成的有源區(qū)11，并具有在有源區(qū)11的主面上形成的漏極電極(第1主電極)D、源極電極(第2主電極)S及柵極電極(控制電極)G。有源區(qū)11隔著緩沖層而配置在由Si構(gòu)成的導(dǎo)電性基板上。漏極電極D和源極電極S在有源區(qū)11上相互分開配置，并在俯視觀察時，具有相互交叉的指型的電極結(jié)構(gòu)。柵極電極G配置在漏極電極D與源極電極S之間，與上述指型的電極結(jié)構(gòu)相應(yīng)地具有折回結(jié)構(gòu)。另外，氮化物FET1具有：與形成在有源區(qū)11上的漏極電極D電連接的漏極焊盤12、與源極電極S電連接的源極焊盤13及與柵極電極G電連接的柵極焊盤14。另外，雖然省略圖示，但是沒有與各電極并列地形成焊盤的有源區(qū)11的主面與各電極的上表面被由絕緣物構(gòu)成的保護膜所被覆。