[發明專利]供體基底及其制造方法和制造有機發光顯示裝置的方法在審
| 申請號: | 201210247410.7 | 申請日: | 2012-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN102891166A | 公開(公告)日: | 2013-01-23 |
| 發明(設計)人: | 宣軫元;羅興烈 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 供體 基底 及其 制造 方法 有機 發光 顯示裝置 | ||
1.一種供體基底,所述供體基底包括:
基礎基底;
光熱轉換層,位于基礎基底上;
轉印層,位于光熱轉換層上;
肋結構,位于轉印層上,肋結構包括彼此分開的多個管。
2.如權利要求1所述的供體基底,其中,管具有位于管的上部和側部中的至少一個處的多個開口。
3.如權利要求2所述的供體基底,其中,肋結構還包括連接到管的端部的至少一個連接管。
4.如權利要求3所述的供體基底,其中,所述至少一個連接管包括與管的材料相同的材料。
5.如權利要求3所述的供體基底,其中,所述至少一個連接管與管一體地形成。
6.如權利要求3所述的供體基底,其中,所述至少一個連接管包括第一連接管和第二連接管,第一連接管連接到管的第一端部,第二連接管連接到管的第二端部。
7.如權利要求1所述的供體基底,其中,肋結構包括多個第一管和多個第二管,第一管沿第一方向延伸,第二管沿第二方向延伸。
8.如權利要求7所述的供體基底,其中,第一管和第二管以矩陣的形狀布置。
9.如權利要求7所述的供體基底,其中,第一管具有位于第一管的上部和側部中的至少一個處的多個第一開口,第二管具有位于第二管的上部和側部中的至少一個處的多個第二開口。
10.如權利要求7所述的供體基底,其中,位于轉印層的中央部分的至少一個第一管具有位于第一管的上部和側部中的至少一個處的多個第一開口,位于轉印層的中央部分的至少一個第二管具有位于第二管的上部和側部中的至少一個處的多個第二開口。
11.如權利要求7所述的供體基底,其中,肋結構還包括位于第一管和第二管中的至少一個中的分割壁。
12.如權利要求1所述的供體基底,其中,管包括硅、氨基甲酸乙酯或鋁。
13.如權利要求1所述的供體基底,其中,管的高度和寬度之間的比在1.0∶0.5和1.0∶1.0之間。
14.一種制造供體基底的方法,所述方法包括:
在基礎基底上形成光熱轉換層;
在光熱轉換層上形成轉印層;
在轉印層上形成肋結構,肋結構包括彼此分開的多個管。
15.如權利要求14所述的方法,其中,形成肋結構的步驟還包括在管的上部和側部中的至少一個處形成多個開口。
16.如權利要求14所述的方法,其中,形成肋結構的步驟還包括形成連接到管的端部的至少一個連接管。
17.如權利要求14所述的方法,其中,形成肋結構的步驟還包括:
在管的多個第一管上形成第一槽;
在管的多個第二管上形成第二槽;
通過使第一槽與第二槽對齊將第一管與第二管結合。
18.如權利要求14所述的方法,其中,形成肋結構的步驟還包括:
沿第一方向在轉印層上布置管的多個第一管;
沿第二方向在轉印層上布置管的多個第二管,第二管與第一管交叉。
19.如權利要求14所述的方法,其中,形成肋結構的步驟還包括在多個管的第一管和第二管中的至少一個中形成分割壁。
20.一種制造有機發光顯示裝置的方法,所述方法包括:
在基礎基底上形成肋結構,以制造供體基底,肋結構包括多個管,基礎基底包括光熱轉換層和轉印層;
將供體基底層壓到顯示基底上;
在供體基底上輻射激光束,從而在顯示基底上由轉印層形成有機層圖案;
通過肋結構在顯示基底和供體基底之間排放氣體,以將供體基底從顯示基底去除。
21.如權利要求20所述的方法,其中,形成肋結構的步驟包括:
在轉印層上布置多個管,管彼此分開;
在管的上部和側部中的至少一個處形成多個開口。
22.如權利要求21所述的方法,其中,管以與顯示基底的像素區域的寬度的整數倍相同的距離彼此分開。
23.如權利要求21所述的方法,其中,形成肋結構的步驟還包括形成連接到管的端部的至少一個連接管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





