[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210247221.X
• 申請日: 2012-07-17
• 公開（公告）號: CN103545367A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鍾淼鈞;鄭安棣;黃胤富;連士進;吳錫垣
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，特別是有關(guān)于高壓半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)

在近幾十年間，半導(dǎo)體業(yè)界持續(xù)縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的尺寸，并同時改善速率、效能、密度及集成電路的單位成本。

縮小裝置面積通常會嚴重犧牲半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電性效能。為了維持半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電性效能，特別在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為高壓裝置的情況下，必須使用大的裝置面積，然而，這會阻礙半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)微縮化的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可縮減裝置面積并具有預(yù)期的電性效能。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基體、柵極、源極、漏極與基體接觸區(qū)；柵極位于基體上；源極與漏極分別位于柵極的相對兩側(cè)上的基體中；基體接觸區(qū)僅位于基體鄰近源極的一區(qū)域中并電性連接至基體。

根據(jù)本發(fā)明的又一個實施方式，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基體、柵極、源極、漏極、通道區(qū)域與基體接觸區(qū)；柵極位于基體上；源極與漏極分別位于柵極的相對兩側(cè)上的基體中；通道區(qū)域位于柵極下方，并位于源極與漏極之間，通道區(qū)域具有第一尺寸；基體接觸區(qū)位于基體的一區(qū)域中并電性連接至基體，基體接觸區(qū)具有一第二尺寸。第二尺寸系大于、等于第一尺寸的50％。

根據(jù)本發(fā)明的再一個實施方式，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，方法包括以下步驟：于基體上形成柵極；于柵極的相對兩側(cè)上的基體中分別形成源極與漏極；僅在基體鄰近源極的一區(qū)域中形成基體接觸區(qū)；基體接觸區(qū)系電性連接至基體。

下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。

圖2為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的Id-Vd曲線圖。

圖3為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。

圖4為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。

圖5為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的Id-Vd曲線圖。

圖6為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。

圖7為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。

圖8為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖9為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖10為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖11至圖12為根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造流程。

【主要元件符號說明】

102～基體；104、204～柵極；104A～第一柵極；104B～第二柵極；106、206～源極；106A～第一源極；106B～第二源極；108、208～漏極；110、210～基體接觸區(qū)；110A、110C～第一基體接觸區(qū)；110B、110D～第二基體接觸區(qū)；112～淺摻雜區(qū)；114～隔離元件；116～第一摻雜區(qū)；118～第二摻雜區(qū)；120～基底；122～基底接觸區(qū)；124～柵極接觸區(qū)；126～介電層；128～電極層；130～間隙壁；132、232～通道區(qū)域；134～埋藏區(qū)；136～介電元件；S11、S31、S51～第一尺寸；S12、S22、S32、S42～第二尺寸。

具體實施方式

圖1繪示根據(jù)一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基體(bulk)102、柵極104、源極106、漏極108與基體接觸區(qū)110。柵極104、源極106、漏極108與基體接觸區(qū)110系位于基體102中。淺摻雜區(qū)112可形成在基體102中。于其他實施例中，淺摻雜區(qū)112亦可省略。源極106與漏極108分別位于柵極104的相對兩側(cè)上。基體102可由隔離元件114定義出。隔離元件114可包括第一摻雜區(qū)116與形成在第一摻雜區(qū)116中的第二摻雜區(qū)118。第二摻雜區(qū)118可為重摻雜的。隔離元件114可形成在基底(substrate)120中。基底120可電性連接至基底接觸區(qū)122。柵極104可電性連接至柵極接觸區(qū)124。