[發明專利]一種閃存單元及其制造方法

有效

• 申請號: 201210246930.6
• 申請日: 2012-07-17
• 公開（公告）號: CN103545315A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 林志宏
• 申請（專利權）人: 和艦科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 賀小明

1.一種閃存單元，其特征在于，包括半導體基板；

所述半導體基板的上表面設置有柵氧化層，所述柵氧化層的上表面設置有下多晶硅柵極，所述下多晶硅柵極的上表面設置有介電層，所述介電層的上表面設置有上多晶硅柵層；

所述上多晶硅柵層的上表面，以及上多晶硅柵層、所述介電層與所述下多晶硅柵極的一側面均設置有氧化層；

所述上多晶硅柵層、所述介電層與所述下多晶硅柵極的一側面的氧化層上設置有多晶硅層。

2.根據權利要求1所述的閃存單元，其特征在于，所述半導體基板為P型襯底。

3.根據權利要求1所述的閃存單元，其特征在于，所述介電層為氧化物-氮化物-氧化物疊層。

4.根據權利要求1所述的閃存單元，其特征在于，所述多晶硅層為扇形結構。

5.根據權利要求1或2或3或4所述的閃存單元，其特征在于，所述上多晶硅柵極為控制柵極，所述下多晶硅柵極為浮置柵極，所述多晶硅層為源極。

6.一種制造權利要求1所述的閃存單元的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：提供一半導體基板，在所述半導體基板的上表面設置柵氧化層，在所述柵氧化層的上表面設置下多晶硅柵極，在所述下多晶硅柵極的上表面設置介電層，在所述介電層的上表面設置上多晶硅柵層，形成了第一半成品；并在所述第一半成品的上表面涂覆光阻；

步驟二：去除所述第一半成品的上多晶硅柵層上的光阻并進行離子注入；

步驟三：去除所述第一半成品的半導體基板上的光阻，形成了第二半成品；在所述第二半成品的上表面沉積氧化層，并在所述氧化層的外表面沉積多晶硅層，形成了第三半成品；

步驟四：蝕刻所述第三半成品的上表面，使得上多晶硅柵層上方以及半導體基板上方的多晶硅層被蝕刻，側壁的多晶硅層得以保留，形成第四半成品；

步驟五：在所述第四半成品的上表面涂覆光阻，并蝕刻出貫穿至所述柵氧化層的溝槽，形成了第五半成品；

步驟六：去除所述第五半成品上的光阻并進行離子注入，形成了第六半成品；

步驟七：進一步蝕刻所述第六半成品的溝槽；

步驟八：步驟七形成的閃存單元為兩個閃存單元，將其分解為兩個獨立的閃存單元；

步驟九：至此制作完成閃存單元。

7.根據權利要求6所述的制造閃存單元的方法，其特征在于，步驟三中的第二半成品的上表面沉積的氧化層為高溫氧化物沉積。

8.根據權利要求6所述的閃存單元的制造方法，其特征在于，所述半導體基板為P型襯底，所述介電層為氧化物-氮化物-氧化物疊層。

9.根據權利要求6所述的閃存單元的制造方法，其特征在于，所述上多晶硅柵極為控制柵極，所述下多晶硅柵極為浮置柵極，所述多晶硅層為源極。

10.根據權利要求6所述的閃存單元的制造方法，其特征在于，所述側壁的多晶硅層為扇形結構。