[發(fā)明專利]DMOS半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210246922.1
• 申請日: 2012-07-17
• 公開（公告）號: CN103545214A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王者偉;陳雪磊;高留春;劉斌斌
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 方世棟;王忠忠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法，更具體地，涉及DMOS半導(dǎo)體器件的制造方法。

背景技術(shù)

DMOS（雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件）晶體管是一種使用擴散形成晶體管區(qū)域的MOSFET（半導(dǎo)體上的金屬場效應(yīng)晶體管），其具有比雙極型功率器件更好的性能（例如高輸入阻抗、低驅(qū)動電流、開關(guān)速度快、具有負(fù)的電流溫度系數(shù)、具有良好的電流自調(diào)節(jié)能力、熱穩(wěn)定性好、沒有二次擊穿等），因而已被廣泛地應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，尤其被廣泛應(yīng)用于高壓大電流的電路應(yīng)用。

現(xiàn)有的DMOS半導(dǎo)體器件的制造方法通常包括以下步驟：（1）在半導(dǎo)體晶圓上形成RING環(huán)（該RING環(huán)為DMOS器件的外圍的環(huán)，用于提高DMOS器件的耐壓能力），其中形成所述RING環(huán)包括：在整個半導(dǎo)體晶圓上生長氧化層，隨之旋涂光刻膠，隨之對需要構(gòu)造RING環(huán)的區(qū)域曝光和顯影，隨之使用濕法氫氟酸腐蝕掉該區(qū)域的氧化層，隨之進(jìn)行RING環(huán)的注入和推阱以及氧化層全剝操作；（2）在已具有RING環(huán)的半導(dǎo)體晶圓上形成有源區(qū)，其中形成所述有源區(qū)包括：涂膠，隨之對管芯中需要構(gòu)造源極的區(qū)域曝光并顯影，隨之使用干法刻蝕而蝕刻出所述有源區(qū)；（3）在已具有有源區(qū)的半導(dǎo)體晶圓上形成多晶層，其中形成所述多晶層包括：生長柵氧化層，隨之生成多晶層，隨之對所述多晶層進(jìn)行曝光和顯影，隨之對所述多晶層進(jìn)行干法刻蝕，隨后注入P阱，從而形成溝道，隨之進(jìn)行P阱推阱操作；（4）在已具有多晶層的半導(dǎo)體晶圓上形成源極，其中形成所述源極包括：進(jìn)行源極注入和離子激活操作；（5）執(zhí)行后續(xù)操作以形成DMOS器件，其中所述后續(xù)操作包括：沉積形成介質(zhì)層、光刻腐蝕所述介質(zhì)層形成接觸孔、沉積形成金屬層、光刻腐蝕所述金屬層以形成布線、沉積形成鈍化層并光刻和腐蝕所述鈍化層。

然而，現(xiàn)有的DMOS半導(dǎo)體器件的制造方法存在如下問題：由于通常需要進(jìn)行5次光刻，因此制造成本較高。

因此，存在如下需求：提供成本較低的DMOS半導(dǎo)體器件的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)方案中所存在的問題，本發(fā)明提出了改進(jìn)的用于制造DMOS半導(dǎo)體器件的方法。

本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

一種用于制造DMOS半導(dǎo)體器件的方法，所述用于制造DMOS半導(dǎo)體器件的方法包括下列步驟：

（A1）在半導(dǎo)體晶圓上形成RING環(huán)；

（A2）在已形成所述RING環(huán)的所述半導(dǎo)體晶圓上形成多晶層；

（A3）在已形成所述多晶層的所述半導(dǎo)體晶圓上形成源極；

（A4）對已形成所述源極的所述半導(dǎo)體晶圓執(zhí)行后續(xù)的操作以形成DMOS器件。

在上面所公開的方案中，優(yōu)選地，所述步驟（A1）進(jìn)一步包括：

在整個半導(dǎo)體晶圓上生長氧化層；

在所述氧化層上旋涂光刻膠；

對需要形成RING環(huán)的區(qū)域進(jìn)行曝光和顯影操作，以為后續(xù)的腐蝕操作提供光罩掩蔽；

使用濕法氫氟酸腐蝕掉該區(qū)域的氧化層，以為后續(xù)的注入操作提供掩蔽層；

執(zhí)行RING環(huán)的注入和推阱操作；

執(zhí)行氧化層全剝操作。

在上面所公開的方案中，優(yōu)選地，所述步驟（A2）進(jìn)一步包括：

在已形成所述RING環(huán)的所述半導(dǎo)體晶圓上生長柵氧化層；

在已形成所述柵氧化層的半導(dǎo)體晶圓上形成多晶層；

對所述多晶層進(jìn)行曝光和顯影，以為后續(xù)的多晶刻蝕操作提供掩蔽；

對所述多晶層進(jìn)行干法刻蝕操作，以形成柵極；

對所述柵氧化層進(jìn)行干法蝕刻操作，以蝕刻出源極和阱區(qū)；

注入P阱，以形成溝道；

執(zhí)行P阱推阱操作。

在上面所公開的方案中，優(yōu)選地，所述步驟（A3）進(jìn)一步包括：執(zhí)行源極注入和離子激活操作。

在上面所公開的方案中，優(yōu)選地，所述步驟（A4）進(jìn)一步包括：

執(zhí)行沉積操作以形成介質(zhì)層；

光刻腐蝕所述介質(zhì)層以形成接觸孔；

執(zhí)行沉積以形成金屬層；

光刻腐蝕所述金屬層，以形成金屬引線；

執(zhí)行沉積操作以形成鈍化層并光刻和腐蝕所述鈍化層。

在上面所公開的方案中，優(yōu)選地，步驟（A1）中的所述氧化層的厚度為8000??（埃）。

在上面所公開的方案中，優(yōu)選地，步驟（A2）中的所述柵氧化層的厚度為1100??（埃）。

在上面所公開的方案中，優(yōu)選地，步驟（A2）中的所述多晶層的厚度為7000??（埃）。