[發明專利]芯片、制造方法以及用于使碳層局部呈現傳導性的方法

無效

• 申請號: 201210246826.7
• 申請日: 2012-07-16
• 公開（公告）號: CN102881636A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 烏韋·霍克勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種芯片，包括：

集成電路；以及

碳層，其中，所述碳層包括類石墨碳，其中，穿過所述類石墨碳的橫向傳導路徑電氣連接所述集成電路的兩個電路元件。

2.根據權利要求1所述的芯片，其中，所述碳層包括隔離部分，所述隔離部分包括圍繞且鄰接所述類石墨碳的無定形碳。

3.根據權利要求2所述的芯片，其中，所述類石墨碳和無定形碳在橫向上占據所述碳層的不同區域，并且均在所述碳層的整個厚度上延伸。

4.根據權利要求2所述的芯片，其中，所述類石墨碳向下延伸至比所述碳層的厚度小的碳層深度，以嵌入在所述無定形碳中。

5.根據權利要求2所述的芯片，其中，所述碳層的厚度在橫向上恒定。

6.根據權利要求1所述的芯片，其中，所述兩個電路元件包括邏輯電路。

7.根據權利要求1所述的芯片，其中，所述兩個電路元件中的第一電路元件為晶體管，并且所述兩個電路元件中的第二電路元件為選自由接觸墊、晶體管、電容器和二極管組成的組的元件。

8.一種芯片，包括：

基板；

集成電路；以及

位于所述基板上的碳層；

其中，所述碳層包括：包括無定形碳的隔離部分；以及包括類石墨碳的傳導部分；并且

其中，穿過所述類石墨碳的橫向傳導路徑電氣連接所述集成電路的兩個電路元件。

9.一種用于使碳隔離層局部呈現傳導性的方法，所述方法包括以下步驟：

將激光束引導至所述碳隔離層上，以將所述碳隔離層的無定形碳轉換為類石墨碳。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，將激光束引導至所述碳隔離層上被執行為使得所述激光束在入射到所述碳隔離層上之前穿過另一層。

11.一種用于制造芯片的方法，所述芯片包括集成電路和碳層，所述方法包括以下步驟：

加熱所述碳層以形成該層的傳導部分，其中，穿過所述傳導部分的橫向路徑連接所述集成電路的兩個電路元件。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括：在基板上提供碳隔離層。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，提供所述碳隔離層被執行為使得所述碳隔離層包括無定形碳。

14.根據權利要求11所述的方法，其中，加熱所述碳層包括：局部加熱所述碳層。

15.根據權利要求11所述的方法，其中，加熱所述碳層包括：使用激光。

16.根據權利要求11所述的方法，其中，加熱所述碳層包括：使用烘箱。

17.根據權利要求13所述的方法，其中，所述加熱被執行為使得無定形碳轉換為由無定形碳圍繞的類石墨碳。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，所述加熱被執行為使得無定形碳和類石墨碳在橫向上占據所述碳層的不同區域，并且均在所述碳層的整個厚度上延伸。

19.根據權利要求17所述的方法，其中，所述加熱被執行為使得所述類石墨碳向下延伸至比所述碳層的厚度小的碳層深度，并且嵌入在所述無定形碳中。

20.根據權利要求18所述的方法，其中，所述碳層的厚度在橫向上恒定。

21.根據權利要求14所述的方法，其中，局部加熱被執行為使得所述橫向路徑連接兩個電路元件，其中，所述兩個電路元件中的第一電路元件為晶體管或邏輯電路，并且所述兩個電路元件中的第二電路元件為由接觸墊、邏輯電路、晶體管、電容器和二極管組成的組中的一個。