[發明專利]制造非揮發半導體結構的方法及半導體結構

有效

• 申請號: 201210246800.2
• 申請日: 2012-07-17
• 公開（公告）號: CN103545192A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 郭仲儀
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種制造半導體結構的方法，其特征在于其包括以下步驟：

形成一溝渠于一半導體基板中，該溝渠由一溝渠基底部分及鄰接淺溝渠隔離結構的側壁定義；以及

形成布植區域于該鄰接淺溝渠隔離結構的一個或兩個側壁，

其中該側壁是逐步傾斜的，且其中該側壁上半部間的距離大于該側壁下半部間的距離。

2.根據權利要求1所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其還包含形成一V形輪廓開口于該溝渠中。

3.根據權利要求1所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其還包含：

對該淺溝渠隔離結構、該溝渠及該布植區域進行退火；

除去該布植區域的一部分；

形成隧道氧化層于該溝渠基底部分及該淺溝渠隔離結構的該側壁之上；

形成一導電薄膜于該隧道氧化層之上。

4.根據權利要求3所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中形成布植區域包括以一第一傾斜角度布植雜質以形成布植區域于該鄰近淺溝渠隔離結構的一第一側壁。

5.根據權利要求4所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該第一傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁的0-30°范圍。

6.根據權利要求4所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中形成布植區域還包括以一第二傾斜角度布植雜質以形成布植區域于該鄰近淺溝渠隔離結構的一第二側壁。

7.根據權利要求3所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該布植還包含形成另一布植區域于該溝渠基底部分。

8.根據權利要求4所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該第一傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁大致為0°。

9.根據權利要求4所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其還包含：

旋轉該半導體結構；以及

其中形成布植區域還包括以一第二角度布植雜質而形成布植區域于該鄰近淺溝渠隔離結構的一第二側壁。

10.根據權利要求9所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該第一傾斜角度與該第二傾斜角度相同。

11.根據權利要求9所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該第一及該第二傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁的10-70°范圍。

12.根據權利要求9所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該第一及該第二傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁大致為55°。

13.根據權利要求3所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該布植及該除去該布植區域的一部分導致鋸齒狀結構于該側壁的上半部產生。

14.根據權利要求13所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該側壁的上半部包含鄰近該布植區域的該側壁部分。

15.根據權利要求3所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中在該除去工藝之后仍會有布植區域殘留。

16.根據權利要求4所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中所植入的該雜質包括氮氣體、鍺、碳和氟之一及其組合。

17.一種半導體結構，其特征在于其包含：

一淺溝渠隔離結構形成于一半導體基板中，因此定義出該半導體結構的一溝渠；以及

其中該溝渠包含由一溝渠基底部分及鄰接該淺溝渠隔離結構的側壁定義的一開口，

其中該側壁是逐步傾斜的，

且該側壁上半部間的距離大于該側壁下半部間的距離。

18.根據權利要求17所述的半導體結構，其特征在于其中鋸齒狀結構定義于該側壁的上半部。

19.根據權利要求17所述的半導體結構，其特征在于其還包含布植區域在該側壁的該上半部。

20.根據權利要求17所述的半導體結構，其特征在于其還包含殘留布植區域由靠近該側壁的該上半部的淺溝渠隔離區域所定義。

21.根據權利要求20所述的半導體結構，其特征在于其中所植入的該雜質包括氮氣體、鍺、碳和氟之一及其組合。