[發明專利]發光元件、發光裝置、以及電子設備

有效

• 申請號: 201210246794.0
• 申請日: 2008-09-27
• 公開（公告）號: CN102779947A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 下垣智子;鈴木恒德;瀨尾哲史
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王永剛

1.一種發光裝置，包括：

陰極；

在所述陰極上的EL層；以及

在所述EL層上的陽極，

其中所述EL層包括空穴注入層、空穴傳輸層以及發光層，

其中所述空穴注入層和所述空穴傳輸層被置于所述發光層與所述EL層之間，

其中所述空穴傳輸層被置于所述空穴注入層與所述發光層之間，并且

其中所述空穴注入層的最高占據軌道能級的絕對值比所述空穴傳輸層的最高占據軌道能級的絕對值大。

2.一種發光裝置，包括：

陰極；

在所述陰極上的EL層；以及

在所述EL層上的陽極，

其中所述EL層包括空穴注入層、空穴傳輸層以及發光層，

其中所述空穴注入層和所述空穴傳輸層被置于所述發光層與所述EL層之間，

其中所述空穴傳輸層被置于所述空穴注入層與所述發光層之間，并且

其中所述空穴注入層的最高占據軌道能級的絕對值比所述空穴傳輸層的最高占據軌道能級的絕對值和所述陰極的最高占據軌道能級的絕對值大。

3.一種發光裝置，包括：

陰極；

在所述陰極上的第一EL層；

在所述第一EL層上的第二EL層；以及

在所述第二EL層上的陽極，

其中所述第二EL層包括空穴注入層、空穴傳輸層以及發光層，

其中所述空穴注入層和所述空穴傳輸層被置于所述發光層與所述第一EL層之間，

其中所述空穴傳輸層被置于所述空穴注入層與所述發光層之間，并且

其中所述空穴注入層的最高占據軌道能級的絕對值比所述空穴傳輸層的最高占據軌道能級的絕對值大。

4.一種發光裝置，包括：

陰極；

在所述陰極上的第一EL層；

在所述第一EL層上的第二EL層；以及

在所述第二EL層上的陽極，

其中所述第二EL層包括空穴注入層、空穴傳輸層以及發光層，

其中所述空穴注入層和所述空穴傳輸層被置于所述發光層與所述第一EL層之間，

其中所述空穴傳輸層被置于所述空穴注入層與所述發光層之間，并且

其中所述空穴注入層的最高占據軌道能級的絕對值比所述空穴傳輸層的最高占據軌道能級的絕對值和所述陰極的最高占據軌道能級的絕對值大。

5.根據權利要求1－4中的任一項所述的發光裝置，

其中所述空穴注入層的最高占據軌道能級的絕對值比所述空穴傳輸層的最高占據軌道能級的絕對值大0.1eV以上。

6.根據權利要求1－4中的任一項所述的發光裝置，

其中所述發光層包括具有電子傳輸性的物質。

7.根據權利要求1－4中的任一項所述的發光裝置，其中所述發光層的最高占據軌道能級的絕對值比所述空穴注入層的最高占據軌道能級的絕對值大。

8.根據權利要求1－4中的任一項所述的發光裝置，其中所述空穴注入層包括過渡金屬氧化物。

9.根據權利要求8所述的發光裝置，其中所述過渡金屬氧化物選自包含氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化鎢、氧化錳的組。

10.根據權利要求3或4所述的發光裝置，還包括被置于所述第一EL層與所述第二EL層之間的電荷產生層。

11.根據權利要求10所述的發光裝置，其中所述電荷產生層包括具有空穴傳輸性的物質和受主物質。

12.根據權利要求10所述的發光裝置，其中所述電荷產生層包括具有電子傳輸性的物質和施主物質。

13.一種包括根據權利要求1－4中的任一項所述的發光裝置的照明裝置。

14.一種包括根據權利要求1－4中的任一項所述的發光裝置的電子設備。