[發明專利]晶圓片激光加工方法有效
| 申請號: | 201210246763.5 | 申請日: | 2012-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN103545253A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 高昆;葉樹鈴;邴虹;陳紅;李瑜;莊昌輝;張紅江;劉立文;歐明輝;遲彥龍;馬國東;高云峰 | 申請(專利權)人: | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;B23K26/38;B28D5/00 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓片 激光 加工 方法 | ||
1.一種晶圓片激光加工方法,其包括如下步驟:
a)提供晶圓片,所述晶圓片具有正面及帶有電極的背面,所述晶圓片的背面設置有切割道;
b)于所述晶圓片背面貼膜;
c)將貼膜的晶圓片定位于一激光切割設備中,所述激光切割設備發出的激光由離所述晶圓片的外緣預定距離處沿所述晶圓片的切割道向內進行一輪激光切割;
d)切割完成后,去除所述晶圓片背面的貼膜;
e)對去膜后的晶圓片進行蒸鍍處理,以提高所述晶圓片的亮度;
f)于所述晶圓片的背面貼膜;g)將貼膜后的晶圓片于一裂片機中進行裂片;
h)倒膜,即于所述晶圓片的正面貼膜,然后去除所述晶圓片背面的貼膜;
i)擴膜,即將所述晶圓片切割后所形成的晶粒的距離拉大;
j)對各個晶粒進行測試。
2.如權利要求1所述的晶圓片激光加工方法,其特征在于:在步驟f)和g)之間還包括將貼膜的晶圓片定位于所述激光切割設備中并使所述激光切割設備發出的激光沿所述晶圓片的切割道進行另一輪激光切割的步驟A)。
3.如權利要求1或2所述的晶圓片激光加工方法,其特征在于:在步驟c)中,所述預定距離為所述晶圓片上離所述晶圓片的外緣為0.2mm~1.5mm的距離。
4.如權利要求3所述的晶圓片激光加工方法,其特征在于:于步驟c)中,在切割之前,通過工業級精密相機把所述晶圓片的整體圖形先拍照保留,再通過圖形處理后生成所述晶圓片的外形輪廓的各點坐標,軟件根據所述坐標計算所述晶圓片的外緣向內0.2mm~1.5mm的距離范圍內不被激光切割到的算法,通過軟件控制所述激光切割設備在算好的坐標處開啟和關閉激光,從而達到所述晶圓片的外緣向內0.2mm~1.5mm的距離范圍內不被激光所切割。
5.如權利要求1或2所述的晶圓片激光加工方法,其特征在于:所述激光切割設備包括532nm波長的激光器。
6.如權利要求1或2所述的晶圓片激光加工方法,其特征在于:所述激光切割設備包括1064nm波長的激光器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





