[發明專利]發光二極管晶粒及其制作方法

有效

• 申請號: 201210246652.4
• 申請日: 2012-07-17
• 公開（公告）號: CN103545408A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 林雅雯;黃世晟;凃博閔
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種發光二極管晶粒及其制作方法，尤其涉及一種出光均勻的發光二極管晶粒及其制作方法。

背景技術

發光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)是一種可將電流轉換成特定波長范圍的光的半導體元件。發光二極管以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅動簡單、壽命長等優點，從而可作為光源而廣泛應用于照明領域。

現有的發光二極管晶粒通常包括基板、在基板表面生長的半導體發光結構以及形成在半導體發光結構上的P電極和N電極。然而，發光二極管晶粒在發光過程中電流容易集中在P電極和N電極的周圍，使得發光二極管晶粒在靠近兩電極之間的出光亮度最大，從而導致出光亮度不均勻；并且，電流的集中容易造成電極處熱量的堆積，致使該處溫度偏高而減少發光二極管晶粒的使用壽命。

發明內容

鑒于此，有必要提供一種出光亮度均勻的發光二極管晶粒及其制作方法。

一種發光二極管晶粒，其包括一基板、形成在該基板上的磊晶層以及分別形成在該磊晶層上的第一電極和第二電極，該磊晶層包括依次生長的第一半導體層、發光層及第二半導體層，該第二半導體層的上端具有一非活性部，該第一電極形成在第一半導體層的表面，該第二電極形成在該非活性部的頂部且覆蓋該非活性部。

一種發光二極管晶粒的制作方法，其包括以下步驟：提供一基板；在基板上磊晶形成緩沖層；在該緩沖層上生長磊晶層，該磊晶層包括依次生長的第一半導體層、發光層及第二半導體層，該發光層和該第二半導體層位于該第一半導體層的頂端一側，從而使該第一半導體層的頂端另一側外露；在該第二半導體層的頂端設置一遮蔽層，并使該遮蔽層覆蓋該第二半導體層的一部分；對第二半導體層進行活性化處理；移除該遮蔽層，分別在外露的該第一半導體層表面上和該第二半導體層上原本被遮蔽層覆蓋的位置上形成第一電極和第二電極。

本實施例通過在第二半導體層上設置一具有高阻抗特性的非活性部，且將第二電極設置在非活性部的頂面上以覆蓋非活性部，從而使電流在第二電極正下方流通困難，進而轉往非活性部周緣的其他途徑而提高電流擴散均勻度，因此使發光二極管晶粒的出光面亮度均勻，同時擴散均勻的電流可有效避免因熱量集中而導致的溫度偏高現象、提高發光二極管晶粒的使用壽命。

附圖說明

圖1是本發明的發光二極管晶粒的示意圖。

圖2是本發明的發光二極管晶粒的制作方法步驟一所提供的基板的示意圖。

圖3是本發明的發光二極管晶粒的制作方法步驟二在基板上形成緩沖層的示意圖。

圖4是本發明的發光二極管晶粒的制作方法步驟三在緩沖層上生長磊晶層的示意圖。

圖5是圖4中在磊晶層的P型半導體電流接觸層上設置一遮蔽層的示意圖。

圖6是對圖5中的P型半導體電流接觸層進行活性化處理的示意圖。

圖7是對圖6中的遮蔽層移除后在磊晶層上分別形成第一電極和第二電極的示意圖。

主要元件符號說明