[發(fā)明專利]用于功率器件厚金屬刻蝕的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210246239.8 | 申請日： | 2012-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN103545199A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周穎;叢茂杰;陳正嶸 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3213 | 分類號： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月紅 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 功率 器件 金屬 刻蝕 方法 | ||
1.一種用于功率器件厚金屬刻蝕的方法，其特征在于，包括步驟：
1）在介質(zhì)層上淀積厚金屬層；
2）在厚金屬層上，進(jìn)行光刻膠涂布、曝光、顯影；
3）濕法刻蝕厚金屬層；
4）干法刻蝕厚金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述功率器件包括：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1）中，介質(zhì)層包括：化學(xué)氣相沉積生成的二氧化硅和硼磷硅酸鹽玻璃。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1）中，厚金屬層淀積的方法包括：物理氣相沉積。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1）中，金屬材質(zhì)為AlCu或AlSiCu，厚金屬層的厚度為5～7μm。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2）中，光刻膠的厚度2μm～4μm。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3）中，濕法刻蝕中采用的化學(xué)藥液包括：磷酸、硝酸或醋酸中的兩種或三種的混合液；
濕法刻蝕的深度為2～4μm。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述磷酸的重量百分百為70%～80%，硝酸的重量百分百為3%～8%，醋酸的重量百分百為3%～15%。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟4）中，干法刻蝕的深度為2～4μm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華虹NEC電子有限公司，未經(jīng)上海華虹NEC電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210246239.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
