[發明專利]閘門式循環比可調氧化溝裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201210245423.0
• 申請日: 2012-07-16
• 公開（公告）號: CN102730834A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 于靜潔;王少坡;孫力平
• 申請（專利權）人: 天津城市建設學院
• 主分類號: C02F3/30
• 分類號: C02F3/30
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 陸藝

技術領域

本發明屬于環境工程中的污水處理技術領域，涉及一種閘門式循環比可調氧化溝裝置及其操作方法。

背景技術

1954年，世界上第一座氧化溝污水處理廠在荷蘭建立，歷經了幾十年的發展。目前，氧化溝工藝設計規范或手冊中均未將循環比(循環廊道斷面通過的循環流量和進水流量的比值)作為工藝設計參數。設計過程中，常依據設計規范或手冊選定污泥濃度、污泥負荷、污泥齡等設計參數值，之后計算得到氧化溝所需的容積，最后依據場地等要求，確定氧化溝的廊道寬度、深度及長度和廊道數目，最終導致了已建氧化溝工藝循環比差異很大，見表1。

表1??已建氧化溝工藝的循環比

注：Q_TOT=86400·v·B·H=Q_in+R_sQ_in+RQ_in，故

式中：Q_TOT--通過循環廊道斷面的總流量，m³/d；Q_in--單座氧化溝進水流量，m³/d

R--循環比；B--廊道寬，m；H--有效水深，m；86400—時間單位秒與天轉化系數。

R_S--污泥回流比，估取1(即100%)；v--混合液流速，估取0.3m/s。

由于循環比在氧化溝工藝設計中并未作為設計參數被設計者考慮在內。此外，污水處理廠投產運行后，進水流量并不是管理人員能調控的參數，而是由外界情況所決定。已建成氧化溝工藝系統廊道寬（B）及有效水深(H，是氧化溝池底上表面到氧化溝池最高設計水位的距離)是定值。而混合液在溝內的流速過小會導致污泥沉降淤積。流速過大一方面會造成運行不經濟；另一方面會使活性污泥絮體粒徑變小，這樣泥水混合液由氧化溝池進入沉淀池后沉降性能變差，最終會使氧化溝工藝系統的出水水質變差。所以氧化溝內混合液流速常保持在0.3m/s左右。氧化溝工藝系統的污泥回流比(由沉淀池回流至反應池的污泥量與進水流量的比值)經驗值在0.75-1.5之間（即75%-150%），數值較小，因此污泥回流比Rs的微小波動對循環比R沒有很大影響。

在現有的氧化溝工藝技術中，有在循環廊道內加裝具有一定孔徑的插板，但是插板的過流面積是固定的，因此對于這樣的氧化溝工藝，其循環比也不能調節，也是定值。

綜上可知，現有氧化溝工藝技術中存在以下問題：循環比未能成為可有效調控的工藝運行參數，因此導致了不投加化學藥劑僅依靠活性污泥微生物降解作用的氧化溝工藝難以使脫氮除磷同時達到較高去除率。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術的不足，提供一種閘門式循環比可調氧化溝裝置。

本發明的第二個目的是提供一種閘門式循環比可調氧化溝裝置的操作方法。

本發明的技術方案概述如下：

一種閘門式循環比可調氧化溝裝置，厭氧池2通過管路依次與氧化溝池3、沉淀池4、污泥回流泵5的進水端連接，污泥回流泵5的出水端通過管路與厭氧池2連接；厭氧池2的側壁上設置有進水管1；連接沉淀池4與污泥回流泵5的進水端的管路上設置有三通6，三通6的第三出口與剩余污泥排放管7連接；沉淀池4的上部設置有出水管8；在厭氧池2內部設置有第一攪拌器9；在氧化溝池3劃分為好氧區和缺氧區，在好氧區起始端和缺氧區起始端分別設置有閘門式循環比調控設備12，在好氧區內設置有立式表曝機11，在缺氧區內設置有第二攪拌器10，所述閘門式循環比調控設備12包括絲桿13，絲桿13的上部與閘板框架16的上邊框活動連接，絲桿13的下部與閘板14的頂部固定連接，閘板14的下端與氧化溝池3池底的上表面之間留有通道，絲桿13的頂部與電動操作裝置或手動操作轉盤連接。

一種閘門式循環比可調氧化溝裝置的操作方法，包括如下步驟：