[發明專利]晶圓研磨裝置與晶圓研磨方法

無效

• 申請號: 201210245349.2
• 申請日: 2012-07-16
• 公開（公告）號: CN102729133A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 孫宏琪;黃明玉;王建清
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B53/017;B24B37/27
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種晶圓研磨裝置，包括：

一支撐板，用以放置一晶圓于其上；

一修整墊，設置鄰近于該支撐板；以及

一研磨輪，其能夠在該支撐板與該修整墊之間移動，以研磨放置在該支撐板上的該晶圓或經由該修整墊修整該研磨輪的一研磨面。

2.如權利要求1所述的晶圓研磨裝置，其中包括數個該修整墊與數個該研磨輪，該些修整墊的各個與該些研磨輪的各個成對地構成一研磨單元。

3.如權利要求1所述的晶圓研磨裝置，更包括數個研磨區域，該些研磨區域至少的一設置有該研磨單元。

4.如權利要求1所述的晶圓研磨裝置，其中包括數個該研磨輪，該些研磨輪共用單一個該修整墊。

5.一種晶圓研磨方法，包括：

利用一研磨輪與一第一研磨參數研磨放置在一支撐板上的一晶圓；以及

在判斷出利用該研磨輪與該第一研磨參數研磨該晶圓的過程中發生異常之后，利用該研磨輪與相異于該第一研磨參數的一第二研磨參數研磨該晶圓，或者，將該研磨輪移至鄰近于該支撐板的一修整墊，并利用該修整墊修整該研磨輪的一研磨面。

6.如權利要求1所述的晶圓研磨方法，其中在利用該研磨輪與該第二研磨參數研磨該晶圓之后，將該研磨輪移至該修整墊，并利用該修整墊修整該研磨輪的該研磨面。

7.如權利要求1所述的晶圓研磨方法，更包括在利用該修整墊修整該研磨輪的該研磨面之后，將該研磨輪移至該支撐板，并利用該研磨輪與該第一研磨參數研磨放置在該支撐板上的另一晶圓。

8.如權利要求1所述的晶圓研磨方法，判斷出利用該研磨輪與該第一研磨參數研磨該晶圓的過程中發生異常的方法包括：

判斷出該研磨輪的一主軸移動速率與該晶圓的一移除速率的差異大于一設定極限值；或者

判斷出該研磨輪的一主軸電流值大于另一設定極限值。

9.如權利要求1所述的晶圓研磨方法，其中該支撐板上設置有一晶圓承載盤，該晶圓放置在該晶圓承載盤上，第一研磨參數與該第二研磨參數各包括該研磨輪的一主軸進給速度、該晶圓承載盤的一轉速、或一冷卻水流量。

10.如權利要求9所述的晶圓研磨方法，其中該第二研磨參數的該研磨輪的該主軸進給速度小于該第一研磨參數的該研磨輪的該主軸進給速度；

該第二研磨參數的該晶圓承載盤的該轉速小于該第一研磨參數的該晶圓承載盤的該轉速；或者

該第二研磨參數的該冷卻水流量大于該第一研磨參數的該冷卻水流量。