[發明專利]CoPt/Ta垂直磁化膜的雙層結構材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201210245272.9 | 申請日： | 2012-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN102789786A | 公開（公告）日： | 2012-11-21 |
| 發明（設計）人： | 程曉敏;劉臨利;繆向水;劉輝;洪瑋;關夏威 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | G11B5/851 | 分類號： | G11B5/851;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | copt ta 垂直 磁化 雙層 結構 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種CoPt/Ta垂直磁化膜的雙層結構材料，它依次包括基片，CoPt磁性層，Ta保護層，其中，CoPt的厚度為10nm～100nm，Ta保護層的厚度為1nm～20nm。
2.根據權利要求1所述的CoPt/Ta垂直磁化膜的雙層結構材料，其特征在于，CoPt的厚度為50nm，Ta保護層的厚度為10nm。
3.一種權利要求1所述的CoPt/Ta垂直磁化膜的雙層結構材料的制備方法，其步驟包括：
第1步制備Co金屬靶和Ta金屬靶；
第2步在Co靶上貼置Pt片；
第3步以Ar2作為濺射氣體，先對貼置Pt片后的Co靶進行濺射，再在對Ta靶進行濺射，制備得到具有Ta保護層的CoPt磁性薄膜材料；
第4步將制備好的CoPt/Ta雙層結構磁性薄膜放置于真空退火爐中高溫下退火。
4.一種權利要求1所述的CoPt/Ta垂直磁化膜的雙層結構材料的制備方法，其步驟包括：
第1步制備CoPt合金靶和Ta金屬靶；
第2步以Ar2作為濺射氣體，先對CoPt合金靶進行濺射，再在CoPt上對Ta靶進行濺射，制備得到具有Ta保護層的CoPt磁性薄膜材料；
第3步將制備好的CoPt/Ta雙層結構磁性薄膜放置于真空退火爐中高溫下退火。
5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，第3步中，濺射Co靶功率為15W～200W，濺射Ar氣壓為0.45Pa～1.0Pa。
6.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，第3步中，濺射Ta靶功率為25W，濺射Ar氣壓為0.5Pa。
7.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，第3步中，濺射Ta靶功率為15W～200W，濺射Ar氣壓為0.45Pa～1.0Pa。
8.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，第4步中，退火溫度為600℃～850℃，Ta和CoPt的退火時間為10min～1h。
9.根據權利要求3或5所述的制備方法，其特征在于，第4步中，退火溫度為650℃。
10.一種權利要求1所述的CoPt/Ta垂直磁化膜的雙層結構材料的制備方法，采用包括濺射法、化學氣相沉積法、蒸發法、原子層沉積法、金屬有機物熱分解法或激光輔助沉積法在內的任意一種制備方法。
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