[發明專利]最小化封裝件缺陷的凸塊結構設計有效
| 申請號: | 201210245069.1 | 申請日: | 2012-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN103227163A | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發明(設計)人: | 林俊成;黃震麟 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 最小化 封裝 缺陷 結構設計 | ||
1.一種芯片封裝件,包括:
第一銅柱,位于芯片上方且具有第一高度;以及
第二銅柱,位于襯底上方且具有第二高度;其中,所述第二銅柱通過焊料層與所述第一銅柱接合,以形成具有間隔的所述芯片封裝件的第一銅柱凸塊結構,其中,所述第一高度和所述第二高度的總和與所述間隔的比率等于或大于約0.6且小于1。
2.根據權利要求1所述的芯片封裝件,其中,所述第一銅柱的第一寬度等于或小于約30μm以及所述第二銅柱的第二寬度也等于或小于約30μm。
3.根據權利要求1所述的芯片封裝件,進一步包括第二銅柱凸塊結構,所述第二銅柱凸塊結構緊挨著所述第一銅柱凸塊結構形成,其中,所述第一銅柱凸塊結構和第二銅柱凸塊結構之間的間距等于或小于約60μm。
4.根據權利要求1所述的芯片封裝件,其中,所述第一銅柱的縱橫比等于或大于約0.45。
5.根據權利要求1所述的芯片封裝件,其中,所述間隔等于或大于約30μm。
6.根據權利要求1所述的芯片封裝件,其中,所述第一銅柱設置在金屬焊盤上方,并且在所述第一銅柱和所述金屬焊盤之間具有凸塊底部金屬化(UBM)層。
7.根據權利要求1所述的芯片封裝件,其中,所述襯底是中介板。
8.根據權利要求7所述的芯片封裝件,其中,所述中介板包括硅通孔。
9.一種芯片封裝件,包括:
第一銅柱,位于芯片上方且具有第一高度;以及
第二銅柱,位于襯底上方且具有第二高度;其中,所述第二銅柱通過焊料層與所述第一銅柱接合,以形成具有間隔的所述芯片封裝件的第一銅柱凸塊結構,其中,所述第一高度和第二高度的總和與所述間隔的比率等于或大于約0.6且小于1,并且所述第一銅柱的第一寬度等于或小于約30μm。
10.一種形成芯片封裝件的方法,包括:
提供具有多個第一銅柱凸塊的芯片,其中,所述多個第一銅柱凸塊具有第一銅柱高度;
提供具有多個第二銅柱凸塊的襯底,其中,所述多個第二銅柱凸塊具有第二銅柱高度;
通過在所述多個第一銅柱凸塊和所述多個第二銅柱凸塊上進行焊料層回流,將所述多個第一銅柱凸塊和所述多個第二銅柱凸塊接合在一起,以形成所述芯片封裝件的第一銅柱凸塊結構,其中,所述第一銅柱凸塊結構具有間隔,其中,所述第一銅柱高度和所述第二銅柱高度的總和與所述間隔的比率等于或大于約0.6且小于1。
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