[發明專利]多量子阱結構及發光二極管

無效

• 申請號: 201210244973.0
• 申請日: 2012-07-16
• 公開（公告）號: CN103545406A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 黃世晟;林雅雯;凃博閔
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多量子阱結構，包括兩個第一勢壘層以及夾設在該兩個第一勢壘層之間的兩個阱層，其特征在于：該多量子阱結構還包括夾設在兩個阱層之間的具有摻雜的第二勢壘層，該第二勢壘層的導帶、價帶能級分別趨向與其相鄰的阱層的導帶、價帶能級漸變過渡，且該第二勢壘層的摻雜濃度沿從一個阱層到另一個阱層的方向漸變。

2.如權利要求1所述的多量子阱結構，其特征在于，所述阱層的材質為In_xGa_1-xN，其中，X>0。

3.如權利要求2所述的多量子阱結構，其特征在于，所述第一勢壘層的材質為GaN，所述第二勢壘層的材質為In_yGa_1-yN，其中，x＞y≧0，且從一個阱層到另一個阱層的方向上y逐漸趨近于0。

4.如權利要求2所述的多量子阱結構，其特征在于，所述第一勢壘層的材質為Al_zGa_1-zN，所述第二勢壘層的材質為Al_yGa_1-yN，其中，z＞y≧0，且從一個阱層到另一個阱層的方向上y逐漸趨近于z。

5.一種發光二極管，包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層、以及夾設在該第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的至少一個如權利要求1-4任意一項所述的多量子阱結構。

6.如權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，所述第一導電類型半導體層為N型摻雜GaN半導體層。

7.如權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，該發光二極管還包括藍寶石基板以及形成在藍寶石基板上的成核層，所述N型摻雜GaN半導體層設置在該成核層上。

8.如權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，該第二導電類型半導體層為P型摻雜GaN半導體層。

9.如權利要求8所述的發光二極管，其特征在于，該P型摻雜GaN半導體層與多量子阱結構之間還夾設有一P型摻雜AlGaN層。

10.一種發光二極管，包括N型半導體層、P型半導體層、以及夾設在該N型半導體層與P型半導體層之間的多量子阱結構，該多量子阱結構包括兩個第一勢壘層以及夾設在該兩個第一勢壘層之間的多個阱層，其特征在于：該多量子阱結構還包括多個具有摻雜的第二勢壘層，該第二勢壘層分別夾設在各相鄰兩阱層之間，該第二勢壘層的導帶、價帶能級分別趨向與其相鄰的阱層的導帶、價帶能級漸變過渡，且距離P型半導體層最近的第二勢壘層的摻雜濃度沿從該距離P型半導體層最近的第二勢壘層兩側的兩個阱層中的一個阱層到另一個阱層的方向漸變。