[發(fā)明專利]一種可調諧半導體激光器

有效

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• 申請日: 2012-07-16
• 公開（公告）號: CN102751659A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設計）人: 趙家霖;余永林
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01S5/125
• 分類號: H01S5/125
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 王超

1.一種可調諧半導體激光器，該激光器縱向截面從一端到另一端依次包括前光柵區(qū)（1）、有源區(qū)（2）、相位區(qū)（3）和后光柵區(qū)（4），前光柵區(qū)（1）、相位區(qū)（3）和后光柵區(qū)（4）縱截面從上到下依次主要包括上限制層（5）、光波導層（6）和下限制層（7），有源區(qū)（2）縱截面從上到下依次主要包括上限制層（5）、有源層（8）和下限制層（7），前光柵區(qū)（1）和上限制層（5）交叉的區(qū)域設有前布拉格光柵（9），后光柵區(qū)（4）和上限制層（5）交叉的區(qū)域設有后布拉格光柵（10），其特征在于：前布拉格光柵（9）和后布拉格光柵（10）均采用間插多相移取樣布拉格光柵。

2.根據(jù)權利要求1所述的激光器，其特征在于：間插多相移取樣布拉格光柵是復數(shù)組多相移取樣布拉格光柵間插制得的光柵，所有多相移取樣布拉格光柵的光柵周期、取樣周期相同。

3.根據(jù)權利要求2所述的激光器，其特征在于：每組多相移取樣布拉格光柵均包括復數(shù)個取樣光柵周期結構，每組多相移取樣布拉格光柵中相鄰的取樣光柵周期結構的光柵初始相位具有相同的相移。

4.根據(jù)權利要求3所述的激光器，其特征在于：設間插多相移取樣布拉格光柵包含m組多相移取樣布拉格光柵，則第i組多相移取樣布拉格光柵的相鄰取樣光柵周期結構的光柵初始相移???????????????????????????????????????????????為(i-1)*2π/m。

5.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的激光器，其特征在于：前光柵區(qū)（1）、有源區(qū)（2）、相位區(qū)（3）和后光柵區(qū)（4）的上表面分別設有第一電極（11）、第二電極（12）、第三電極（13）和第四電極（14）。

6.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的激光器，其特征在于：前光柵區(qū)（1）和后光柵區(qū)（4）的外側表面分別設有第一增透膜（15）和第二增透膜（16）。

7.根據(jù)權利要求3或4所述的激光器，其特征在于：取樣光柵周期結構采用均勻、切趾或啁啾形式的布拉格光柵。

8.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的一種可調諧半導體激光器，其特征在于：所述的可調諧半導體激光器可以與半導體光放大器和/或電吸收調制器集成。