[發明專利]具有新型結構的高壓(HV)器件端接及其制備方法有效
| 申請號： | 201210244919.6 | 申請日： | 2012-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN102891169A | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發明（設計）人： | 李亦衡;馬督兒·博德;丁永平;金鐘五;安荷·叭剌 | 申請（專利權）人： | 萬國半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 張靜潔;徐雯瓊 |
| 地址： | 美國加利福尼亞桑*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 新型 結構 高壓 hv 器件 端接 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體功率器件，其設置在半導體襯底中，包括一個形成在輕摻雜區上方的重摻雜區，并且具有一個有源器件元區和一個邊緣終接區，其特征在于，所述的邊緣終接區包括多個終接溝槽，形成在所述的重摻雜區上，內襯電介質層，并且填充導電材料；以及
多個掩埋保護環，作為摻雜區，形成在所述的半導體襯底的所述的輕摻雜區中，位于終接溝槽附近。
2.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，
多個所述的掩埋保護環，作為摻雜區，形成在所述的半導體襯底的所述的輕摻雜區中，緊挨著終接溝槽的底面下方。
3.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，
多個所述的掩埋保護環，作為摻雜區，形成在所述的半導體襯底的所述的輕摻雜區中，緊挨著終接溝槽的底面下方，并且包圍著終接溝槽的下部。
4.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，
多個所述的掩埋保護環，作為摻雜區，形成在所述的半導體襯底的所述的輕摻雜區中，緊挨著終接溝槽的底面下方，并且包圍著終接溝槽的下部，其中所述的掩埋保護環設置在相間的終接溝槽周圍，每兩個所述的掩埋保護環都被一個中間終接溝槽隔開，所述的摻雜區不包圍所述的中間終接溝槽。
5.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，
多個所述的終接溝槽在半導體襯底中打開的深度為5至8微米。
6.一種用于在半導體襯底中制備半導體功率器件的方法，該半導體功率器件含有一個形成在輕摻雜區上方的重摻雜區，并且具有一個有源器件元區和一個邊緣終接區，其特征在于，該方法包括：
在邊緣終接區中所述的重摻雜區上，打開多個終接溝槽；
通過終接溝槽，植入多個摻雜區，作為掩埋保護環，在所述的半導體襯底的所述的輕摻雜區中，緊靠終接溝槽；并且
用導電填充物，填充所述的終接溝槽，并將所述的導電填充物電連接到所述的半導體功率器件的源極電極。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，
所述的通過終接溝槽植入多個摻雜區的步驟，還包括利用植入掩膜，以便在所選的終接溝槽下方，選擇性地植入摻雜區。
8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，
所述的通過終接溝槽植入多個摻雜區的步驟，還包括用光致抗蝕劑材料填充終接溝槽，隨后利用掩膜，在所選的終接溝槽中，選擇性地裸露出光致抗蝕劑材料，用于光刻輻射，然后除去所選的終接溝槽上的掩膜和光致抗蝕劑材料，在所選的終接溝槽下方，選擇性地植入摻雜區。
9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，
所述的通過終接溝槽植入多個摻雜區的步驟，還包括在所述的終接溝槽中，制備一個刻蝕終止層，然后用電介質材料填充終接溝槽，隨后利用掩膜，在所選的終接溝槽中，選擇性地刻蝕電介質材料，在所選的終接溝槽下方，選擇性地植入摻雜區。
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