[發明專利]一種半導體器件中接觸區引線工藝保護對準標記的方法

有效

• 申請號: 201210244717.1
• 申請日: 2012-07-16
• 公開（公告）號: CN102800566A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 陳剛;李理;王泉慧;柏松
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/544;G03F9/00
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水;周曉梅

1.一種半導體器件中接觸區引線工藝保護對準標記的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

一、正常進行半導體器件的部分正面工藝；

二、使用酸性溶液清洗經過部分工藝的半導體材料；

三、在半導體材料上的對準標記區域形成一層耐刻蝕金屬膜；

四、采用干法刻蝕方法處理半導體材料表面及耐刻蝕金屬膜；

五、在半導體材料表面進行鈍化介質生長；

六、接觸區引線工藝干法過刻蝕鈍化介質及對準標記區域；

七、使用酸性溶液處理經過過刻蝕工藝的半導體材料及耐刻蝕金屬膜；

八、采用濕法及干法刻蝕方法進行去膠；

九、采用保護完好的對準標記繼續進行光刻工藝。

2.根據權利要求1所述的一種半導體器件中接觸區引線工藝保護對準標記的方法，其特征是所述的使用酸性溶液清洗經過部分工藝的半導體材料工藝步驟二：酸性溶液為鹽酸與純水的重量配比1：20～1：5的溶液。

3.根據權利要求1所述的一種半導體器件中接觸區引線工藝保護對準標記的方法，其特征是所述的半導體材料為碳化硅晶片，或碳化硅襯底上生長了一層或者多層碳化硅薄膜的外延片，或碳化硅襯底上生長了氮化鎵薄膜、或AlGaN薄膜、或氮化鋁薄膜的一層或者多層外延片，或藍寶石襯底上生長了氮化鎵薄膜、或AlGaN薄膜、或氮化鋁薄膜的一層或者多層外延片。

4.根據權利要求1所述的一種半導體器件中接觸區引線工藝保護對準標記的方法，其特征是所述的在半導體材料上的對準標記區域形成一層耐刻蝕金屬膜工藝步驟三：1）將第一層分辨率低的光敏薄膜附著于整個半導體材料表面，只在需要位置的對準標記區域留出的空白窗口不附著第一層分辨率低的光敏薄膜；光敏薄膜5的厚度為0.9um~6μm；對準標記位于窗口區域中央，窗口的面積為1~10mm²；2）在對準標記區域的空白窗口以及附著于整個半導體材料1表面的光敏薄膜上淀積一層耐刻蝕金屬；耐刻蝕金屬為鎳或者鈦/鉑，厚度為50nm～300nm或者30nm～100nm?/50nm～200nm；通過清除光敏薄膜去除窗口區域以外的耐刻蝕金屬，在窗口區域內留下被耐刻蝕金屬覆蓋的對準標記凹槽；然后采用剝離方法去除光敏薄膜。

5.根據權利要求3所述的一種半導體器件中接觸區引線工藝保護對準標記的方法，其特征是所述的對準標記區域窗口的面積為1～10mm²。

6.根據權利要求3所述的一種半導體器件中接觸區引線工藝保護對準標記的方法，其特征是所述的耐刻蝕金屬材料為鎳單層金屬或鈦鉑雙層金屬，采用電子束蒸發的方式形成。

7.根據權利要求1所述的一種半導體器件中接觸區引線工藝保護對準標記的方法，其特征是所述的采用干法刻蝕方法處理半導體材料表面及耐刻蝕金屬膜工藝步驟四：干法刻蝕方法為等離子體刻蝕打膠。

8.根據權利要求1所述的一種半導體器件中接觸區引線工藝保護對準標記的方法，其特征是所述的在半導體材料表面進行鈍化介質生長工藝步驟五：將采用等離子體增強化學氣相淀積方法或感應耦合等離子體增強化學氣相淀積方法生長的鈍化介質薄膜附著于整個半導體材料表面，被耐刻蝕金屬覆蓋的對準標記凹槽也被介質覆蓋填平，鈍化介質為二氧化硅或氮化硅，厚度在500nm～3um。

9.根據權利要求1所述的一種半導體器件中接觸區引線工藝保護對準標記的方法，其特征是所述的接觸區引線工藝干法過刻蝕鈍化介質及對準標記區域工藝步驟六：1）將分辨率高的光敏薄膜附著于整個半導體材料表面上的鈍化介質薄膜表面，光敏薄膜厚度在0.9um~6um；在對準標記區域，整個半導體材料表面上被耐刻蝕金屬覆蓋，然后再被鈍化介質薄膜覆蓋；2）對分辨率高的光敏薄膜進行接觸區引線區域及對準標記區域4的光刻、曝光、顯影流程，最終得到了待刻蝕的圖形窗口；3）進行接觸區引線工藝干法過刻蝕鈍化介質薄膜，干法過刻蝕采用的是反應離子刻蝕或者感應耦合等離子體方法，半導體器件工藝的接觸區刻蝕的同時，對準標記區域也進行過刻蝕介質，刻蝕完成后，對準標記凹槽圖形保護完好。

10.根據權利要求1所述的一種半導體器件中接觸區引線工藝保護對準標記的方法，其特征是所述采用濕法及干法刻蝕方法進行去膠工藝步驟八：1）去光敏薄膜分辨率高的光敏薄膜；2）用濕法去膠采用丙酮80W超聲5分鐘2次，更換溶液，乙醇80W超聲5分鐘1次，純水過浴3次清洗后，氮氣加熱3千轉高速轉動甩干；干法刻蝕方法為等離子體刻蝕打膠去光敏薄膜分辨率高的光敏薄膜，對準標記凹槽圖形保護完好。