[發明專利]非易失性內存系統的初始化方法

無效

• 申請號: 201210244280.1
• 申請日: 2012-07-13
• 公開（公告）號: CN103489481A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 詹立翔;廖國宏
• 申請（專利權）人: 擎泰科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/20
• 分類號: G11C16/20
• 代理公司: 北京泛誠知識產權代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;文琦

技術領域

本發明涉及一種非易失性內存系統，特別是涉及一種非易失性內存系統的初始化方法。

背景技術

閃存是非易失性固態內存裝置的一種，其能夠以電子方式進行抹除或再燒錄（reprogram）。閃存的記憶容量依摩爾定律（Moore’s?law）的預測呈指數倍率增加，因而每一年半推進一新世代。工藝技術的改進增進了內存的容量、速度及應用。

然而，閃存并無法達到百分之一百的無缺陷，因為其通常會具有一些缺陷（或壞）位。當閃存的壞位達到相當的數量時便需要拋棄，因而造成資源的浪費。

在傳統閃存產業，閃存制造商會在工廠將快閃識別符（flash?ID）加載到閃存，用以描述內存信息，例如制造者識別符（vendor?ID）、區塊或頁的大小、工藝或錯誤更正（ECC）能力。然而，由于前述閃存的缺陷位，很可能造成快閃識別符的損壞，使得后續用內存控制器進行閃存系統的初始化時，再也無法取得快閃識別符所描述的內存信息。

為了克服上述問題，亟需提出一種新穎的機制，用以事先寫入系統信息，使得后續系統初始化時得以讀出系統信息。

發明內容

鑒于上述，本發明實施例提供一種更具效能的非易失性內存系統的初始化方法，使得可以有效地使用非易失性內存（特別是有缺陷的非易失性內存），且能夠正確的選取系統數據。

根據本發明實施例，提供一非易失性內存，并根據一公式而寫入多份系統數據至非易失性內存。根據該公式及選擇的一數據存取模式，在非易失性內存中搜索系統數據。重組選擇的數據存取模式的至少一操作參數。檢查搜索的系統數據是否被成功讀取。當搜索的系統數據已從非易失性內存成功讀取，則使用該系統數據以設定非易失性內存的至少一操作參數。

其中，所述非易失性內存為單位元單元、二位單元或多位單元閃存。

其中，所述公式為多項式方程式。

其中，在所述非易失性內存系統的初始化方法中，所述非易失性內存根據所述公式所決定的內存區域的至少一部分，儲存所述多份系統數據。

其中，所述系統數據跨于所述非易失性內存的多區塊、多頁或多區段之間。

其中，當搜索所述非易失性內存的系統數據時，在一頁中進行部分區段搜索。

其中，當搜索所述非易失性內存的系統數據時，在一區塊中進行部分頁搜索。

其中，所述重組的步驟包含：

重組錯誤更正能力、電壓位準或輸出入驅動強度電流。

其中，在所述非易失性內存系統的初始化方法中，所述選擇的數據存取模式為單倍數據速率模式、雙倍數據速率模式或字符線模式。

其中，所述搜索系統數據的步驟包含：

根據所述公式，獲得所述非易失性內存的一列地址及至少一行地址。

其中，如果未找到所述系統數據且已到達所述至少一行地址，則獲得另一列地址。

其中，通過選擇一頁當中的一或獲得多區段所述行地址。

其中，如果一預設時間尚未到達，則增加所述列地址或所述行地址。

其中，如果到達所述預設時間的次數達到一預設量，則改變所述列地址。

附圖說明

圖1圖示出本發明實施例的非易失性內存系統的方塊圖。

圖2圖示出閃存的多個頁，用來存放系統數據（例如圖標陰影區域）。

圖3圖示出由公式所決定的內存區域（陰影區域），其中至少一部分可用以儲存多份系統數據。

圖4圖示出本發明實施例的初始化搜索系統數據的主流程圖。

圖5的流程圖示出圖4所執行的初始化操作的系統數據搜索驗證方法。

圖6圖示出在一頁中選擇一個或多個區段以獲得行地址（CA）。

圖7圖示出本實施例的限時機制的流程圖。

附圖標記說明

100：非易失性內存系統

11：閃存

12：內存控制器

41~46：步驟

51~59：步驟

71~75：步驟

具體實施方式