[發明專利]在鋅片基底上制備玉米狀多級結構氧化鋅納米棒陣列薄膜無效
| 申請號： | 201210243991.7 | 申請日： | 2012-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN102765743A | 公開（公告）日： | 2012-11-07 |
| 發明（設計）人： | 黃忠兵;賀勉;尹光福;嚴香;廖曉明;姚遠東 | 申請（專利權）人： | 四川大學 |
| 主分類號： | C01G9/02 | 分類號： | C01G9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鋅片 基底 制備 玉米 多級 結構 氧化鋅 納米 陣列 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種采用水熱化學沉積法在鋅片上制備玉米狀多級結構ZnO納米棒陣列薄膜的方法，其特征在于包括以下步驟：
(a)?首先對鋅片進行打磨、清洗，再將其置于150~380oC的馬弗爐中保溫處理0.3~1.5h，從而在鋅片表面獲得厚度約0.2~1μm的ZnO納米顆粒種子層；
(b)?將等摩爾的六水合硝酸鋅與六次甲基四胺溶解于蒸餾水中，配成濃度為0.01~0.5mol/mL的陣列生長體系溶液；
(c)?將上述處理過的鋅片垂直插入60~95oC的陣列生長體系溶液中保溫生長，在0.5~8h時加入濃度為0.0005~0.01?mol/L的巰基丁二酸溶液，其與陣列生長體系溶液體積比為1~3:10，然后繼續保溫生長6~14h后降溫并取出鋅片；
(d)?用溫度為30~80oC的蒸餾水沖洗鋅片上的陣列3~5次，然后在室溫下晾干，即在鋅片表面獲得了棒芯直徑為40~200nm、外殼粒徑為10~80nm、棒長為0.2~2μm的玉米狀多級結構ZnO?納米棒陣列薄膜。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于四川大學，未經四川大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210243991.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
