[發明專利]一種扇出型圓片級芯片封裝方法

有效

• 申請號: 201210243958.4
• 申請日: 2012-07-16
• 公開（公告）號: CN102751204A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 張黎;陳棟;賴志明;陳錦輝;徐虹
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓然

1.一種扇出型圓片級芯片封裝方法，其特征在于所述方法包括以下工藝過程：

步驟一、準備載體圓片（8）；

步驟二、在載體圓片（8）的上表面覆蓋介電層（41），在所述介電層（41）上形成設計的光刻圖形開口（411）；

步驟三、通過電鍍、化學鍍或濺射的方式在所述介電層（41）的圖形開口（411）及其上表面實現金屬電極Ⅰ（421）、單層或多層再布線金屬走線（42）和金屬電極Ⅱ（422）；

步驟四、取帶有芯片電極（111）的IC圓片（A1），在芯片電極（111）上通過濺射、光刻、電鍍等工藝實現金屬柱（21）和金屬柱（21）頂端的金屬微凸點（22），并完成金屬微結構（2）陣列排布；

步驟五、將上述IC圓片（A1）減薄并切割成單顆的芯片（1）；

步驟六、將上述芯片（1）倒裝在步驟三的金屬電極Ⅰ（421）上，通過回流形成可靠連接；

步驟七、對完成倒裝的芯片（1）用填充料（3）對金屬微結構（2）和金屬微結構（2）之間以及金屬微結構（2）的外圍進行填充，填充滿芯片（1）和高密度布線層（4）之間的空間，形成帶有芯片（1）的封裝體；

步驟八、取硅圓片，在硅本體（51）上用光學掩膜、刻蝕等方法完成下凹的硅腔（511），形成帶有硅腔（511）的硅腔體（5）；

步驟九、在上述硅本體（51）的上表面覆蓋鍵合層（6），在硅腔（511）中點上液體包封膠，形成包封料層（52）；

步驟十、將步驟七的帶有芯片（1）的封裝體上下翻轉180度與上述帶有硅腔（511）的硅腔體（5）鍵合，擠壓包封料層（52）和鍵合層（6），加熱，使包封料層（52）和鍵合層（6）固化成形；

步驟十一、通過減薄刻蝕的方法去除載體圓片（8）；

步驟十二、在上述金屬電極Ⅱ（422）上植球回流，形成焊球凸點（7）陣列；

步驟十三、對上述重構的圓片進行減薄、切割，形成單顆的扇出型圓片級芯片封裝結構。

2.根據權利要求1所述的一種扇出型圓片級芯片封裝方法，其特征在于：所述硅腔（511）的縱切面為梯形、長方形或正方形。

3.根據權利要求1所述的一種扇出型圓片級芯片封裝方法，其特征在于：所述介電層（41）為具有光刻特征的樹脂。

4.根據權利要求1所述的一種扇出型圓片級芯片封裝方法，其特征在于：所述金屬電極Ⅰ（421）、再布線金屬走線（42）、金屬電極Ⅱ（422）均為單層或多層金屬。

5.根據權利要求4所述的一種扇出型圓片級芯片封裝方法，其特征在于：所述單層或多層金屬為金屬銅、鈦/銅、鈦鎢/銅、鋁/鎳/金或鋁/鎳/鈀/金。

6.根據權利要求1所述的一種扇出型圓片級芯片封裝方法，其特征在于：所述金屬微凸點（22）為錫或錫合金。

7.根據權利要求1所述的一種扇出型圓片級芯片封裝方法，其特征在于：所述金屬柱（21）的材料為銅或銅/鎳復合層。

8.根據權利要求1所述的一種扇出型圓片級芯片封裝方法，其特征在于：所述包封料層（52）為液體包封膠。

9.根據權利要求1所述的一種扇出型圓片級芯片封裝方法，其特征在于：所述鍵合層（6）材料為芯片鍵合膠。