[發(fā)明專利]使用半導(dǎo)體薄膜做敏化劑的太陽電池光陽極及其制備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210243209.1 | 申請日: | 2012-07-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103545112A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李燦;張文華;鄭霄家;于東麒;熊鋒強(qiáng) | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H01G9/20 | 分類號(hào): | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人: | 馬馳 |
| 地址: | 116023 *** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 半導(dǎo)體 薄膜 做敏化劑 太陽電池 陽極 及其 制備 | ||
1.使用半導(dǎo)體薄膜做敏化劑的太陽電池光陽極,其特征在于:
于導(dǎo)電基底表面覆蓋寬帶隙半導(dǎo)體層,然后于寬帶隙半導(dǎo)體表面生長多種窄帶隙半導(dǎo)體,窄帶隙半導(dǎo)體成薄膜狀態(tài)均勻覆蓋在寬帶隙半導(dǎo)體表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池光陽極,其特征在于:
窄帶隙半導(dǎo)體采用半導(dǎo)體敏化劑,半導(dǎo)體敏化劑的陽離子選自Cd、Sb、Pb、Bi、Zn中的一種或二種以上、陰離子選自S、Se、Te中的一種或二種以上所組成的半導(dǎo)體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池光陽極,其特征在于:
導(dǎo)電基底為摻氟的二氧化錫透明導(dǎo)電玻璃(FTO)、銦錫氧化物透明導(dǎo)電玻璃(ITO)、摻鋁氧化鋅透明導(dǎo)電玻璃(AZO)、金屬或其他導(dǎo)電介質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池光陽極,其特征在于:
寬帶隙半導(dǎo)體選自半導(dǎo)體禁帶寬度(Eg):2.5eV<Eg<5eV,Ti、Zn、Sn、Nb、Ta、W中一種元素的氧化物或者二種以上元素的混合氧化物均滿足要求。
5.一種權(quán)利要求1所述太陽電池光陽極的制備方法,其特征在于:
(1)在導(dǎo)電基底上制備寬帶隙半導(dǎo)體多孔膜層,多孔膜由納米粒子、納米管、納米線或者納米棒的一種或兩種以上組成,該半導(dǎo)體多孔膜選自Ti、Zn、Sn、Nb、Ta、W中一種元素的氧化物或者二種以上元素的混合氧化物;
(2)使用原子層沉積(ALD)方法均勻地在寬帶隙半導(dǎo)體多孔膜層上生長多層致密膜,載氣使用氮?dú)饣驓鍤獾榷栊詺怏w,反應(yīng)溫度在100-500℃之間,反應(yīng)壓力在10-1至102toor之間,化合物陽離子原料與陰離子原料二者交替進(jìn)入反應(yīng)腔室,后者進(jìn)入之前,前者非化學(xué)吸附物種必須徹底清除,反應(yīng)時(shí)各個(gè)源脈沖時(shí)間為0.02-0.5s,主腔室中憋氣時(shí)間為5s,薄膜厚度通過原子層沉積(ALD)生長的循環(huán)數(shù)控制,由于半導(dǎo)體存在量子尺寸效應(yīng),不同厚度的敏化劑具有不同的禁帶寬度,從而可以實(shí)現(xiàn)敏化劑的帶隙連續(xù)可調(diào);
半導(dǎo)體敏化劑的陽離子選自Cd、Sb、Pb、Bi、Zn中的一種或二種以上、陰離子選自S、Se、Te中的一種或二種以上所組成的半導(dǎo)體材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于:
化合物陽離子或陰離子使用有機(jī)物作原料,化合物陽離子來自二甲基鎘、二乙基鋅、異丙醇鈦、異丙醇鈮等常溫呈液態(tài)且低氣壓下較易揮發(fā)的物質(zhì),陰離子來自三甲基硅硒烷、三甲基硅硫烷、硫化氫、水、等常溫為液態(tài)且低氣壓下較易揮發(fā)的物質(zhì)。
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