[發明專利]一種具有溝槽終端結構肖特基器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201210242399.5
• 申請日: 2012-07-02
• 公開（公告）號: CN103531617A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 朱江
• 申請（專利權）人: 朱江
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有溝槽終端結構肖特基器件，其特征在于：包括：

襯底層，為第一傳導類型半導體材料；

漂移層，為第一傳導類型的半導體材料，位于襯底層之上；一個或多個

溝槽，位于器件邊緣漂移層中，溝槽內壁表面有絕緣材料；

主結肖特基勢壘結，位于器件中心漂移層表面；

副結肖特基勢壘結，位于多個溝槽之間的漂移層表面。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽構成器件的終端結構。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽的深度可以大于漂移層的厚度。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽內壁表面和副結肖特基勢壘結表面可以覆蓋浮空金屬。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的主結肖特基勢壘結和臨靠主結肖特基勢壘結溝槽內壁表面可以覆蓋器件的電極金屬。

6.如權利要求4和5所述的半導體裝置，其特征在于：所述的浮空金屬和電極金屬可以為相同材料。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的器件中心的主結肖特基勢壘結被溝槽包圍。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的器件襯底層背面設置有背面電極金屬。

9.如權利要求1所述的一種具有溝槽終端結構肖特基器件的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)在襯底層上通過外延生產形成第一傳導類型的半導體材料層；

2)在表面形成第一鈍化層，在待形成溝槽區域表面去除第一鈍化層；

3)進行刻蝕半導體材料，形成溝槽；

4)在溝槽內壁形成第二鈍化層，腐蝕去除器件表面第一鈍化層；

5)在器件表面淀積勢壘金屬，進行燒結形成肖特基勢壘結；

6)上表面淀積電極金屬，進行光刻腐蝕去除部分電極金屬；

7)進行背面金屬化工藝，在襯底層背面形成電極金屬。

10.權利要求9所述的半導體裝置的制備方法，其特征在于：所述的勢壘金屬和上表面電極金屬可以為相同的金屬材料，可以通過一次上表面金屬淀積工藝實現器件的制造。