[發明專利]光器件晶片的加工方法在審
| 申請號： | 201210242252.6 | 申請日： | 2012-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN102881662A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發明（設計）人： | 森數洋司;西野曜子 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 黨曉林;王小東 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 器件 晶片 加工 方法 | ||
1.一種光器件晶片的加工方法，所述光器件晶片的加工方法用于將藍寶石基板從光器件晶片剝離，所述光器件晶片在藍寶石基板的表面隔著緩沖層層疊有由n型半導體層及p型半導體層構成的光器件層，所述光器件晶片的加工方法的特征在于，
所述光器件晶片的加工方法包括：
移設基板接合工序，在該移設基板接合工序中，將移設基板接合于光器件層的表面；
緩沖層破壞工序，在該緩沖層破壞工序中，從在光器件層的表面接合有移設基板的光器件晶片的藍寶石基板側照射脈沖激光光線來破壞緩沖層；以及
藍寶石基板剝離工序，在該藍寶石基板剝離工序中，將緩沖層已被破壞的光器件晶片的藍寶石基板剝離并將光器件層轉移到移設基板，
將在所述緩沖層破壞工序中照射的脈沖激光光線的波長設定為比藍寶石基板的吸收限長且比緩沖層的吸收限短，并且將所述脈沖激光光線的脈沖寬度設定為使得熱擴散長度在200nm以下。
2.根據權利要求1所述的光器件晶片的加工方法，
緩沖層為氮化鎵，將在所述緩沖層破壞工序中照射的脈沖激光光線的脈沖寬度設定為200ps以下。
3.根據權利要求2所述的光器件晶片的加工方法，
將在所述緩沖層破壞工序中照射的脈沖激光光線的脈沖寬度設定為100ps以下。
4.根據權利要求2或3所述的光器件晶片的加工方法，
將在所述緩沖層破壞工序中照射的脈沖激光光線的波長設定為150～355nm。
5.根據權利要求2或3所述的光器件晶片的加工方法，
將在所述緩沖層破壞工序中照射的脈沖激光光線的波長設定為150～250nm。
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