[發明專利]靜電放電保護電路

有效

• 申請號: 201210241828.7
• 申請日: 2012-07-12
• 公開（公告）號: CN103545306A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 馮軍宏;甘正浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種靜電放電保護電路，其特征在于，包括：靜電放電輸入端、接地端，位于所述靜電放電輸入端、接地端之間的若干靜電放電保護單元，所述靜電放電保護單元并聯設置，且所述靜電放電保護單元包括NMOS晶體管、電容、第一電阻、第二電阻，所述電容的第一端與靜電放電輸入端相連接，所述電容的第二端與第二電阻的第一端、NMOS晶體管的柵極相連接，所述第一電阻的第一端與靜電放電輸入端相連，所述第二電阻的第二端與所述第一電阻的第二端、NMOS晶體管的漏極相連接，所述NMOS晶體管的源極和襯底與接地端相連接。

2.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，施加在所述NMOS晶體管的柵極的電壓大于0V，小于NMOS晶體管的閾值電壓。

3.如權利要求2所述的靜電放電保護電路，其特征在于，施加在所述NMOS晶體管的柵極的電壓的范圍為0V~0.5V。

4.如權利要求1或2所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述NMOS晶體管的觸發電壓小于第二擊穿電壓。

5.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述第一電阻為NMOS晶體管與靜電放電輸入端之間的互連線寄生電阻。

6.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述各個靜電放電保護單元相同。

7.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述靜電放電保護電路位于輸入輸出接口與芯片內部電路之間，通過所述靜電放電輸入端與輸入輸出接口、芯片內部電路相連接。

8.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述第二電阻的電阻值的范圍為1歐姆~100歐姆。

9.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，所述NMOS晶體管的襯底具有寄生電阻，不同NMOS晶體管的襯底的寄生電阻不同。