[發明專利]化學機械研磨墊的雙重修整系統及相關方法

無效

• 申請號: 201210241151.7
• 申請日: 2012-07-12
• 公開（公告）號: CN102873639A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 宋健民
• 申請（專利權）人: 宋健民
• 主分類號: B24B53/017
• 分類號: B24B53/017
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種修整化學機械研磨墊的方法，包括：

將一去釉化修整器作用于一化學機械研磨墊的一工作表面，以利用該去釉化修整器對該化學機械研磨墊的該工作表面進行去釉化；

將一粗糙成形修整器作用于該化學機械研磨墊的該工作表面，以利用該粗糙成形修整器對該化學機械研磨墊的該工作表面進行粗糙化。

2.如權利要求1所述的修整化學機械研磨墊的方法，其中該化學機械研磨墊的該工作表面在進行粗糙化之前就已完全地去釉化。

3.如權利要求1所述的修整化學機械研磨墊的方法，其中該化學機械研磨墊的該全部工作表面在進行粗糙化之前就已完全地去釉化。

4.如權利要求1所述的修整化學機械研磨墊的方法，其中對該化學機械研磨墊的工作表面進行去釉化及進行粗糙化是同時發生于工作表面的不同及分散區域，直到整個該工作表面完成修整。

5.如權利要求1所述的修整化學機械研磨墊的方法，其中對該化學機械研磨墊的工作表面的去釉化包括刮除該化學機械研磨墊的該工作表面的厚度。

6.如權利要求5所述的修整化學機械研磨墊的方法，其中該化學機械研磨墊的該工作表面的刮除厚度包括利用結合于該去釉化修整器的多個片狀元件以刮除厚度。

7.如權利要求1所述的修整化學機械研磨墊的方法，其中在對該化學機械研磨墊進行粗糙化包括利用結合于該粗糙成形修整器的多個超研磨顆粒以進行粗糙化。

8.如權利要求7所述的修整化學機械研磨墊的方法，其中該超研磨顆粒為單層超研磨顆粒的排列，在單層超研磨顆粒的最高突出尖點及次高突出尖點間的突出距離差異小于或等于20微米，且在單層超研磨顆粒的最高1％突出尖點間的突出距離差異為80微米或更小。

9.如權利要求1所述的修整化學機械研磨墊的方法，還包括在去釉化期間使一清潔噴灑劑作用于該工作表面。

10.如權利要求9所述的修整化學機械研磨墊的方法，其中該清潔噴灑劑是一水刀。

11.如權利要求9所述的修整化學機械研磨墊的方法，還包括使一吸力作用于該工作表面，以去除來自該化學機械研磨墊在去釉化期間所釋出的碎屑。

12.如權利要求1所述的修整化學機械研磨墊的方法，還包括，在去釉化期間，振動該去釉化修整器及對應的該化學機械研磨墊的至少一或兩者；或在粗糙成形期間，振動該粗糙成形修整器及對應的該化學機械研磨墊的至少一或兩者。

13.如權利要求12所述的修整化學機械研磨墊的方法，其中該振動是超聲波振動。

14.一種修整化學機械研磨墊的系統，包括：

一去釉化修整器，其用于一化學機械研磨墊；以及

一粗糙成形修整器，其用于該化學機械研磨墊；

其中，該去釉化修整器及該粗糙成形修整器各自能獨立修整該化學機械研磨墊。

15.如權利要求14所述的修整化學機械研磨墊的系統，還包括一平臺(platen)，其用于支撐并旋轉該化學機械研磨墊，該平臺用于該去釉化修整器及該粗糙成形修整器。

16.如權利要求14所述的修整化學機械研磨墊的系統，還包括一液體噴灑系統，其用于噴灑一清潔噴灑劑至該化學機械研磨墊以去除在去釉化期間的碎片。

17.如權利要求14所述的修整化學機械研磨墊的系統，還包括一吸引裝置，其用于去除來自該化學機械研磨墊的碎屑。

18.如權利要求14所述的修整化學機械研磨墊的系統，還包括一振動裝置，其結合到至少一該去釉化修整器、該粗糙成形修整器、或該化學機械研磨墊。

19.如權利要求14所述的修整化學機械研磨墊的系統，其中該去釉化修整器包括多個片狀元件，其用于刮除該化學機械研磨墊的該工作表面的厚度。

20.如權利要求14所述的修整化學機械研磨墊的系統，其中該粗糙成形修整器包括多個超研磨顆粒，其用于在該化學機械研磨墊的該工作表面進行粗糙化。

21.如權利要求20所述的修整化學機械研磨墊的系統，其中該超研磨顆粒是單層超研磨顆粒的排列，在單層超研磨顆粒的最高突出尖點及次高突出尖點間的突出距離差異小于或等于20微米，且在單層超研磨顆粒的最高1％突出尖點間的突出距離差異為80微米或更小。