[發(fā)明專利]低噪聲3T像素CMOS圖像傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210241018.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-07-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102811321A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-12-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚素英;徐超;史再峰;徐江濤;高靜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H04N5/3745 | 分類號(hào): | H04N5/3745;H04N5/363;H04N5/378 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201 | 代理人: | 劉國(guó)威 |
| 地址: | 300072*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 噪聲 像素 cmos 圖像傳感器 | ||
1.一種低噪聲3T像素CMOS圖像傳感器,其特征是,像素陣列具有N行像素和1行偽像素,1行偽像素不進(jìn)行感光且輸出恒定的電壓;在整個(gè)N+1行像素陣列中,偽像素位于第1行或第N+1行;像素陣列的各列是同時(shí)操作的;累加器陣列具有N行累加器,列數(shù)與像素陣列相同;累加器各列也是同時(shí)操作的。
2.如權(quán)利要求1所述的低噪聲3T像素CMOS圖像傳感器,其特征是,像素的行讀出順序按照N+1、N、N-1、N-2……3、2、1、N+1、N、N-1……的順序進(jìn)行,在每個(gè)行讀出時(shí)間內(nèi),該行像素的信號(hào)電壓S和復(fù)位電壓R先后被讀出;對(duì)于K<N+1,第K+1行像素的復(fù)位電壓R和第K行像素的信號(hào)電壓S進(jìn)行雙采樣操作,這兩個(gè)電壓的差作為第K行像素的雙采樣信號(hào)被送入相應(yīng)的累加器中;對(duì)于第N+1行像素,第1行像素的復(fù)位電壓和第N+1行像素的信號(hào)電壓進(jìn)行雙采樣操作,這兩個(gè)電壓的差作為第N+1行像素的雙采樣信號(hào)被送入相應(yīng)的累加器中;
雙采樣信號(hào)的累加順序?yàn)椋旱贜+1、N、N-1……2、1、N+1、N、N-1……行像素的雙采樣信號(hào),依次被送入第1、2、3……N、1、2、3、4……行累加器中;當(dāng)累加器被送入第N+1行像素的雙采樣信號(hào)之后,該行累加器被讀出并復(fù)位,準(zhǔn)備下一次的累加操作;當(dāng)累加器被送入非第N+1行像素的雙采樣信號(hào)之后,該行累加器僅進(jìn)行累加操作,不進(jìn)行讀出和復(fù)位操作。
3.如權(quán)利要求1所述的低噪聲3T像素CMOS圖像傳感器,其特征是,像素陣列為4行128列的像素陣列,像素陣列由3T型有源像素單元構(gòu)成;累加器陣列由4行128列模擬累加器構(gòu)成;同一列的4行像素都通過(guò)各自的行選通管與列數(shù)據(jù)總線相連;除此之外,每一條列數(shù)據(jù)總線都通過(guò)一個(gè)行選擇管與一個(gè)恒定電壓相連,該恒定電壓設(shè)為像素陣列的電源電壓的0.8倍,該電壓可由基準(zhǔn)電路產(chǎn)生,通過(guò)將一個(gè)恒定電壓經(jīng)由行選通管連接在列數(shù)據(jù)總線上,像素陣列構(gòu)成5行128列;引入的恒定電壓及相應(yīng)的行選通管為一行偽像素,偽像素排布在像素陣列的尾行。
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