[發明專利]一種發光二極管的外延片及其制造方法

有效

• 申請號: 201210240976.7
• 申請日: 2012-07-12
• 公開（公告）號: CN102760808A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 王明軍;魏世禎;胡加輝
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管的外延片，所述外延片包括襯底層、依次覆蓋在所述襯底層上的緩沖層、N型層、多量子阱層和P型層；所述N型層由n型摻雜的GaN制成；所述多量子阱層包括若干個量子壘層和若干個與各所述量子壘層相互交替生長的量子阱層，其特征在于，所述若干個量子壘層中至少一個所述量子壘層包括三個子量子壘層；位于所述三個子量子壘層中間的所述子量子壘層由n型摻雜的Al_xIn_yGa_1-x-yN制成，n型摻雜濃度不大于所述N型層的n型摻雜濃度；另外兩個所述子量子壘層均由不摻雜的GaN制成；其中，0＜x＜1，0＜y＜1。

2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述n型摻雜的Al_xIn_yGa_1-x-yN中的n型摻雜為Si摻雜，摻雜濃度為0～1×10¹⁸/cm³。

3.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述位于所述三個子量子壘層中間的所述子量子壘層的厚度為0～10nm；另外兩個所述子量子壘層的厚度分別為0～5nm。

4.一種發光二極管的外延片的制造方法，所述方法包括提供襯底并在所述襯底上依次生長緩沖層、N型層、多量子阱層中若干個量子壘層和若干個與各所述量子壘層相互交替的量子阱層、以及P型層，其特征在于，生長所述若干個量子壘層中至少一個所述量子壘層包括：

采用不摻雜的GaN，使所述量子壘層生長至第一厚度；

采用n型摻雜的Al_xIn_yGa_1-x-yN并以預定摻雜濃度沉積，使所述量子壘層生長至第二厚度；

采用不摻雜的GaN，使所述量子壘層生長至第三厚度；

其中，所述預定摻雜濃度不大于所述N型層的摻雜濃度；0＜x＜1，0＜y＜1。