[發(fā)明專利]具有改進(jìn)的暗電流性能的圖像傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210239820.7
• 申請(qǐng)日: 2012-07-10
• 公開（公告）號(hào): CN103107175A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翁偉智;黃薰瑩;張永承;卓金鴻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導(dǎo)體圖像傳感器器件，包括：

具有第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)的半導(dǎo)體襯底，所述襯底包括多個(gè)接近所述第一側(cè)的輻射感測(cè)區(qū)域；

設(shè)置在所述襯底的所述第二側(cè)上的第一壓縮層；

設(shè)置在部分所述第一壓縮層上的金屬器件；以及

設(shè)置在所述金屬器件上的第二壓縮層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器器件，其中所述金屬器件是拉伸器件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器器件，其中所述金屬器件設(shè)置在所述襯底的黑電平校正區(qū)域上方，所述黑電平校正區(qū)域包括基準(zhǔn)像素。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器器件，其中所述輻射感測(cè)區(qū)域可操作地感測(cè)從所述第二側(cè)向所述襯底投射的輻射。

5.一種半導(dǎo)體圖像傳感器器件，包括：

具有前側(cè)和背側(cè)的半導(dǎo)體襯底，所述襯底包括陣列區(qū)域和黑電平校正區(qū)域，其中所述陣列區(qū)域包括接近所述前側(cè)的多個(gè)輻射感測(cè)像素，所述黑電平校正區(qū)域包括接近所述前側(cè)的一個(gè)或者多個(gè)基準(zhǔn)像素；

形成在所述襯底的所述背側(cè)上的第一壓縮應(yīng)力層，所述第一壓縮應(yīng)力層包括氮化硅；

形成在所述壓縮應(yīng)力層上的金屬防護(hù)罩，其中所述金屬防護(hù)罩形成在所述黑電平校正區(qū)域的至少一部分上方；以及

形成在所述金屬防護(hù)罩和所述第一壓縮應(yīng)力層上的第二壓縮應(yīng)力層，其中所述第二壓縮應(yīng)力層包括氧化硅，其中所述金屬防護(hù)罩的側(cè)壁由所述第二壓縮應(yīng)力層保護(hù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器器件，其中所述輻射感測(cè)像素被配置成檢測(cè)從所述背側(cè)進(jìn)入襯底的光。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器器件，其中所述金屬防護(hù)罩是拉伸器件。

8.一種制造半導(dǎo)體圖像傳感器器件的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底中形成多個(gè)輻射感測(cè)元件，所述襯底包括黑電平校正區(qū)域；

在所述襯底上方形成第一壓縮層；

在所述第一壓縮層上形成金屬器件，所述金屬器件形成在所述襯底的所述黑電平校正區(qū)域上方；以及

在所述金屬器件和所述第一壓縮層上形成第二壓縮層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中：

所述襯底具有前面和背面；

所述輻射感測(cè)元件可操作地感測(cè)從所述背面進(jìn)入所述襯底的光；以及

所述第一壓縮層形成在所述襯底的所述背面上方。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述黑電平校正區(qū)域包括一個(gè)或者多個(gè)基準(zhǔn)像素。